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龍圖騰網恭喜南通尚陽通集成電路有限公司申請的專利溝槽柵功率器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114664819B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011541693.7，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權溝槽柵功率器件及其制造方法是由劉堅設計研發完成，并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本溝槽柵功率器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種溝槽柵功率器件，柵極溝槽由頂部溝槽和底部溝槽疊加而成且頂部溝槽的寬度大于底部溝槽的寬度；在底部溝槽中形成有溝槽柵；在外延層中形成有溝道區和源區；源區位于溝道區的表面；柵極導電材料層穿過溝道區；在柵極導電材料層頂部的頂部溝槽中填充有頂部介質層；源區通過第一接觸孔連接到源極；第一接觸孔穿過源區和溝道區相接觸；第一接觸孔由相鄰的兩個所述器件單元共用，且第一接觸孔的底部寬度由相鄰的兩個柵極溝槽中的所述頂部介質層的間距自對準定義。本發明還公開了一種溝槽柵功率器件的制造方法。本發明能自對準定義源接觸孔，從而有利于源接觸孔的尺寸的縮小且能將源接觸孔的尺寸縮小到小于光刻工藝所要求的最小尺寸。

本發明授權溝槽柵功率器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽柵功率器件，其特征在于，器件單元區包括多個并聯的器件單元，各所述器件單元包括： 形成于第一導電類型的外延層中的柵極溝槽，由頂部溝槽和底部溝槽疊加而成，所述頂部溝槽的寬度大于所述底部溝槽的寬度； 在所述底部溝槽中形成有溝槽柵，所述溝槽柵包括填充于所述底部溝槽中的柵極導電材料層以及位于所述柵極導電材料層和所述底部溝槽的側面間的柵介質層； 所述柵極導電材料層和所述底部溝槽的底部表面之間隔離有底部介質層； 在所述外延層中形成有第二導電類型摻雜的溝道區以及第一導電類型重摻雜的源區； 所述源區位于所述溝道區的表面； 在縱向上，所述柵極導電材料層穿過所述溝道區，被所述柵極導電材料層側面覆蓋的所述溝道區的表面用于形成導電溝道； 在所述柵極導電材料層頂部的所述頂部溝槽中填充有頂部介質層； 所述源區通過第一接觸孔連接到由正面金屬層組成的源極； 所述第一接觸孔穿過所述源區和所述溝道區相接觸； 所述第一接觸孔由相鄰的兩個所述器件單元共用，且所述第一接觸孔的底部寬度由相鄰的兩個所述柵極溝槽中的所述頂部介質層的間距自對準定義。

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