恭喜索尼集團(tuán)公司菅野雅人獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜索尼集團(tuán)公司申請的專利成像元件和成像裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114846611B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202180007406.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F39/12;該發(fā)明授權(quán)成像元件和成像裝置是由菅野雅人;高橋千明;齊藤陽介設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-01-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本成像元件和成像裝置在說明書摘要公布了:根據(jù)本公開實(shí)施方案的成像元件設(shè)置有:第一電極;第二電極,第二電極與第一電極相對配置;有機(jī)層,其設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且至少包括光電轉(zhuǎn)換層;第一半導(dǎo)體層,其設(shè)置在第二電極和有機(jī)層之間,并且包含含碳化合物和無機(jī)化合物中的至少一種,含碳化合物的電子親和力大于第一電極的功函數(shù),無機(jī)化合物的功函數(shù)大于第一電極的功函數(shù);和第二半導(dǎo)體層,其設(shè)置在第二電極和第一半導(dǎo)體層之間,并且最高占據(jù)分子軌道HOMO能級與第二電極的費(fèi)米能級之差的絕對值B大于或等于從光學(xué)帶隙算出的第一最低未占據(jù)分子軌道LUMO能級與費(fèi)米能級之差的絕對值A(chǔ),或者在費(fèi)米能級附近具有態(tài)密度相對于HOMO能級為110000以上的帶隙內(nèi)能級。
本發(fā)明授權(quán)成像元件和成像裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種成像元件,包括: 第一電極; 第二電極,所述第二電極與所述第一電極相對配置; 有機(jī)層,所述有機(jī)層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間,并且至少包括光電轉(zhuǎn)換層; 第一半導(dǎo)體層,所述第一半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第二電極和所述有機(jī)層之間,并且包含含碳化合物和無機(jī)化合物中的至少一種,所述含碳化合物的電子親和力大于所述第一電極的功函數(shù),所述無機(jī)化合物的功函數(shù)大于所述第一電極的功函數(shù);和 第二半導(dǎo)體層,所述第二半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第二電極和所述第一半導(dǎo)體層之間,并且HOMO能級與所述第二電極的費(fèi)米能級之差的絕對值B大于或等于從光學(xué)帶隙算出的第一LUMO能級與所述費(fèi)米能級之差的絕對值A(chǔ),或者在所述費(fèi)米能級附近具有態(tài)密度相對于所述HOMO能級為110000以上的帶隙內(nèi)能級。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人索尼集團(tuán)公司,其通訊地址為:日本東京;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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