恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司王菘豊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113675191B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110806301.3，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件及其制造方法是由王菘豊;張旭凱;黃治融;董彥佃;朱家宏;沈澤民;林斌彥設計研發完成，并于2021-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了具有不同配置的接觸結構的半導體器件及其制造方法。半導體器件包括：襯底；鰭結構，設置在襯底上；柵極結構，設置在鰭結構上；源極漏極SD區域，鄰近柵極結構設置；接觸結構，設置在SD區域上；以及偶極子層，設置在三元化合物層和SD區域之間的界面處。接觸結構包括設置在SD區域上的三元化合物層、設置在三元化合物層上的功函金屬WFM硅化物層以及設置在WFM硅化物層上的接觸插塞。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 襯底； 鰭結構，設置在所述襯底上； 柵極結構，設置在所述鰭結構上； 源極漏極區域，鄰近所述柵極結構設置； 接觸結構，設置在所述源極漏極區域上，其中，所述接觸結構包括設置在所述源極漏極區域上的三元化合物層、設置在所述三元化合物層上的功函金屬硅化物層和設置在所述功函金屬硅化物層上的接觸插塞；以及 偶極子層，設置在所述三元化合物層與所述源極漏極區域之間和所述功函金屬硅化物層與所述源極漏極區域之間的界面處， 其中，所述功函金屬硅化物層包括過渡金屬摻雜劑，其中，所述過渡金屬摻雜劑的峰值摻雜劑濃度與所述偶極子層所在的所述界面間隔開距離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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