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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113707605B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110901625.5，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件及其形成方法是由馬哈維;卡迪爾巴德·姆魯尼爾·阿必吉斯;沈澤民設計研發完成，并于2021-08-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：提供了半導體器件及其形成方法。方法包括提供具有半導體結構的工件；在半導體結構上方沉積二維2D材料層；形成電連接至半導體結構與二維材料層的源極部件與漏極部件，其中源極部件與漏極部件包括半導體材料；以及在二維材料層上方形成柵極結構，并且柵極結構介于源極部件與漏極部件之間。柵極結構、源極部件、漏極部件、半導體結構和二維材料層配置為形成場效應晶體管。半導體結構和二維材料層分別用作源極部件和漏極部件之間的第一溝道和第二溝道。

本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括： 提供具有半導體結構的工件； 在所述半導體結構上方沉積二維材料層； 形成電連接至所述半導體結構與所述二維材料層的源極部件與漏極部件，其中，所述源極部件與所述漏極部件包括半導體材料；以及 在所述二維材料層上方形成柵極結構，并且所述柵極結構介于所述源極部件與所述漏極部件之間，其中，所述柵極結構、所述源極部件、所述漏極部件、所述半導體結構和所述二維材料層配置為形成場效應晶體管，并且其中，所述半導體結構和所述二維材料層分別用作所述源極部件和所述漏極部件之間的第一溝道和第二溝道， 其中，所述二維材料層的沉積包括： 在所述半導體結構上方形成偽柵極堆疊件，并且形成具有設置在所述偽柵極堆疊件的相對側壁上的第一間隔件和第二間隔件的柵極間隔件層； 在所述源極部件和所述漏極部件的形成之后，去除所述偽柵極堆疊件，產生由所述第一間隔件和所述第二間隔件限定的柵極溝槽，所述半導體結構暴露在所述柵極溝槽內；以及 在暴露在所述柵極溝槽內的所述半導體結構上選擇性地沉積所述二維材料層，使得所述二維材料層分別跨越在所述第一間隔件和所述第二間隔件的內側之間。

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