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龍圖騰網恭喜株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114628518B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110947803.8，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體裝置是由小林勇介;牛流章弘;下條亮平;雁木比呂;井口智明;馬場祥太郎;西脅達也;可知剛設計研發完成，并于2021-08-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：提供能夠提高特性的半導體裝置。根據實施方式，半導體裝置包括第1電極、第2電極、第3電極、第1導電部件及第1絕緣部件。半導體部件的第4半導體區域中的缺陷密度比半導體部件的第1半導體區域的第1位置中的第1缺陷密度高。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其中， 具備： 第1電極； 第2電極，從上述第1電極朝向上述第2電極的方向是沿著第1方向的方向； 第3電極，上述第3電極包括第3電極端部及第3電極其他端部，上述第3電極端部在上述第1方向上處于上述第1電極與上述第3電極其他端部之間； 第1導電部件，上述第1導電部件包括第1導電部件端部及第1導電部件其他端部，上述第1導電部件端部在上述第1方向上處于上述第1電極與上述第1導電部件其他端部之間，上述第1導電部件端部的上述第1方向上的位置處于上述第1電極的上述第1方向上的位置與上述第3電極端部的上述第1方向上的位置之間，上述第1導電部件與上述第2電極及上述第3電極中的一個電極電連接，或者上述第1導電部件能夠與上述第2電極及上述第3電極中的一個電極電連接； 半導體部件，上述半導體部件包括第1導電型的第1半導體區域、第2導電型的第2半導體區域、上述第1導電型的第3半導體區域和上述第1導電型的第4半導體區域；以及 第1絕緣部件，上述第1絕緣部件的至少一部分處于上述半導體部件與上述第3電極之間、以及上述半導體部件與上述第1導電部件之間， 在上述半導體部件中， 上述第1半導體區域包括第1部分區域及第2部分區域， 上述第1部分區域在上述第1方向上處于上述第1電極與上述第2電極之間， 上述第2半導體區域在上述第1方向上處于上述第1部分區域與上述第3半導體區域之間， 上述第3半導體區域與上述第2電極電連接， 從上述第3電極的一部分朝向上述第2半導體區域的第2方向是與上述第1方向交叉的方向， 從上述第3電極的其他部分朝向上述第1部分區域的一部分的方向是沿著上述第2方向的方向， 從上述第2部分區域朝向上述第1導電部件的方向是沿著上述第1方向的方向， 從上述第1導電部件朝向上述第1部分區域的方向是沿著上述第2方向的方向， 上述第4半導體區域在上述第1方向上設在上述第1電極與上述第1半導體區域之間， 上述第4半導體區域與上述第1電極電連接， 上述第4半導體區域中的上述第1導電型的載流子濃度比上述第1半導體區域中的上述第1導電型的載流子濃度高， 上述第1部分區域包括第1位置，從上述第1導電部件端部朝向上述第1位置的方向是沿著上述第2方向的方向， 上述第4半導體區域中的缺陷密度比上述第1位置處的第1缺陷密度高， 上述半導體部件還包括第5半導體區域， 上述第5半導體區域中的上述第1導電型的載流子濃度比上述第4半導體區域中的上述第1導電型的上述載流子濃度高， 上述第4半導體區域處于上述第5半導體區域與上述第1半導體區域之間， 上述第5半導體區域中的缺陷密度比上述第4半導體區域中的上述缺陷密度低。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。