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龍圖騰網(wǎng)恭喜嘉善復(fù)旦研究院申請的專利半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體封裝方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119764291B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510258826.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/528；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體封裝方法是由朱寶;徐雯龍;丁士進;張柏誠;吳洋洋;張立龍;余念文;張衛(wèi)設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體封裝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體封裝方法，該半導(dǎo)體器件應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝，包括：堆疊設(shè)置的若干半導(dǎo)體芯片，其中，當前半導(dǎo)體芯片堆疊在下層半導(dǎo)體芯片上；當前半導(dǎo)體芯片的襯底具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；第一表面用于提供互連層的附著表面；第二表面用于抵接下層半導(dǎo)體芯片頂端的互連層。該結(jié)構(gòu)用于減少層間縫隙、層高波動從而減少填充間隙工藝步驟，確保封裝后不會短路，以確保器件的性能。相比硅通孔工藝，無需精準的刻蝕硅片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，降低了半導(dǎo)體器件堆疊的工藝難度。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝和半導(dǎo)體封裝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝內(nèi)部，其特征在于，包括： 堆疊設(shè)置的若干半導(dǎo)體芯片，其中，當前半導(dǎo)體芯片堆疊在下層半導(dǎo)體芯片上； 每片半導(dǎo)體芯片均具有N層互連層、若干絕緣層和一襯底，N為大于2的正整數(shù)； 所述互連層用于提供導(dǎo)電的第一區(qū)域和第二區(qū)域；第一區(qū)域和第二區(qū)域被刻蝕槽分隔； 沿堆疊方向，所述N層互連層包括奇數(shù)位第一互連層、偶數(shù)位第一互連層、奇數(shù)位第二互連層和偶數(shù)位第二互連層；每片半導(dǎo)體芯片中的所述互連層具有相對的第一邊緣和第二邊緣； 所述奇數(shù)位第一互連層設(shè)有奇數(shù)位第一互連層刻蝕槽，所述偶數(shù)位第一互連層設(shè)有偶數(shù)位第一互連層刻蝕槽；所述奇數(shù)位第一互連層刻蝕槽與偶數(shù)位第一互連層刻蝕槽在堆疊方向上的輪廓互不相交； 所述奇數(shù)位第二互連層設(shè)有奇數(shù)位第二互連層刻蝕槽，所述偶數(shù)位第二互連層設(shè)有偶數(shù)位第二互連層刻蝕槽；所述奇數(shù)位第二互連層刻蝕槽與偶數(shù)位第二互連層刻蝕槽在堆疊方向上的輪廓互不相交； 所述奇數(shù)位第一互連層刻蝕槽和所述偶數(shù)位第一互連層刻蝕槽靠近所述第一邊緣，所述奇數(shù)位第二互連層刻蝕槽和所述偶數(shù)位第二互連層刻蝕槽靠近所述第二邊緣； 所述絕緣層位于相鄰的互連層之間，用于提供絕緣的電介質(zhì)； 當前半導(dǎo)體芯片的襯底具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第一表面用于提供互連層的附著表面；所述第二表面用于抵接下層半導(dǎo)體芯片頂端的互連層。

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