恭喜晶瀾光電科技(江蘇)有限公司徐友勇獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜晶瀾光電科技(江蘇)有限公司申請的專利SiC半導體封裝用納米銀漿、銀膜、封裝結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119943473B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510435973.6，技術領域涉及：H01B1/22；該發明授權SiC半導體封裝用納米銀漿、銀膜、封裝結構及其制備方法是由徐友勇;陸夢娜;李凌燕;喬琦;金光耀設計研發完成，并于2025-04-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本SiC半導體封裝用納米銀漿、銀膜、封裝結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種SiC半導體封裝用納米銀漿、銀膜、封裝結構及其制備方法，銀漿包括50~90wt%納米銀粉、0.1~5wt%多孔金屬材料、5~45wt%有機載體、0.01~0.5wt%無機納米介孔材料，納米銀粉包括兩種不同尺寸的銀粉；多孔金屬材料為多孔金屬和或金屬有機框架材料。本發明采用兩種不同尺寸的納米銀粉，能夠增加堆積密度，降低納米銀漿燒結后的孔隙率，在燒結過程中，銀原子會擴散填充進多孔金屬材料、無機納米介孔材料的孔洞內，在孔洞內形成燒結頸，且晶核不斷長大，使得多孔金屬材料、無機納米介孔材料穿插交互連接起來，提高銀燒結接頭的高溫服役穩定性和長期服役可靠性。
本發明授權SiC半導體封裝用納米銀漿、銀膜、封裝結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種SiC半導體封裝用納米銀漿，其特征在于，以質量百分含量計，包括如下物質組分： 納米銀粉：50wt%~90wt%； 多孔金屬材料：0.1wt%~5wt%； 有機載體：5wt%~45wt%； 無機納米添加相：0.01wt%~0.5wt%； 其中：納米銀粉由納米級的第一銀粉和第二銀粉組成，第一銀粉的D50為20~100nm，第二銀粉的D50為100~800nm；多孔金屬材料為多孔金屬和或金屬有機框架材料；無機納米添加相為無機納米介孔材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶瀾光電科技(江蘇)有限公司，其通訊地址為：214174 江蘇省無錫市惠山區和惠路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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