恭喜朗姆研究公司大衛(wèi)·查爾斯·史密斯獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請的專利使用ALE蝕刻金屬氧化物襯底以及選擇性沉積獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN111373512B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-06-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:201880071476.0,技術領域涉及:H01L21/3065;該發(fā)明授權使用ALE蝕刻金屬氧化物襯底以及選擇性沉積是由大衛(wèi)·查爾斯·史密斯;理查德·懷斯;阿潘·馬霍羅瓦拉;丹尼斯·M·豪斯曼設計研發(fā)完成,并于2018-10-09向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本使用ALE蝕刻金屬氧化物襯底以及選擇性沉積在說明書摘要公布了:提供了用于處理金屬氧化物膜方法和設備。所述方法包含:a將所述金屬氧化物膜暴露于鹵化硼反應物,并用第一偏置功率點燃第一等離子體以使所述金屬氧化物膜的表面改性;以及b在第二偏置功率下將所述金屬氧化物膜的所述經(jīng)改性的表面暴露于第二等離子體,并持續(xù)足以在沒有濺射的情況下移除所述經(jīng)改性的表面的時間。方法還包含c將金屬氧化物材料選擇性沉積在所述金屬氧化物膜上,以填充所述金屬氧化物膜內(nèi)的裂縫。
本發(fā)明授權使用ALE蝕刻金屬氧化物襯底以及選擇性沉積在權利要求書中公布了:1.一種處理金屬氧化物膜的方法,所述方法包含: 在處理室中接收碳基襯底上的EUV圖案化金屬氧化物膜,由此所述碳基襯底的一部分在所述金屬氧化物膜的圖案化特征中暴露;以及 a將所述碳基襯底上的所述金屬氧化物膜暴露于鹵化硼反應物,并用第一偏置點燃第一等離子體以使所述金屬氧化物膜的表面改性; b在第二偏置下將所述金屬氧化物膜的經(jīng)改性的所述表面暴露于第二等離子體,并持續(xù)足以在沒有濺射經(jīng)改性的所述表面的下伏的未改性的金屬氧化物膜的情況下移除經(jīng)改性的所述表面的時間;以及 c相對于所述碳基襯底,將金屬氧化物材料選擇性沉積在所述金屬氧化物膜上,以填充所述金屬氧化物膜的所述表面上的裂縫。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >朗姆研究公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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