買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119855187B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510329136.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS及制備方法是由何佳;陳彤;周海;胡臻設計研發完成，并于2025-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS及制備方法，所述方法包括：在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層；在漂移層上方形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成P型源區、低阻區、P型阱區及N型源區；重新形成阻擋層，刻蝕，形成第一凹槽，淀積，形成絕緣介質層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成第一柵極金屬層以及第二柵極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成第一源極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕低阻區、P型源區以及N型源區，淀積金屬，形成第二源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，通過對屏蔽柵結構的設計改進，降低了器件的導通電阻。

本發明授權一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種左右屏蔽溝槽柵碳化硅VDMOS的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 步驟1、在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層； 步驟2、在漂移層上方形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成P型源區； 步驟3、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成低阻區； 步驟4、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成P型阱區； 步驟5、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成N型源區； 步驟6、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕漂移層，形成第一凹槽，淀積，形成絕緣介質層； 步驟7、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕絕緣介質層，形成第一溝槽以及第二溝槽，淀積金屬，形成第一柵極金屬層以及第二柵極金屬層； 步驟8、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕絕緣介質層，形成第三溝槽，淀積金屬，形成第一源極金屬層； 步驟9、去除原阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，并刻蝕低阻區、P型源區以及N型源區，淀積金屬，形成第二源極金屬層，去除阻擋層，完成制備。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人泰科天潤半導體科技(北京)有限公司，其通訊地址為：101300 北京市順義區中關村科技園區順義園臨空二路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。