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龍圖騰網恭喜泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119855186B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510329135.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS及制備方法是由何佳;陳彤;周海;胡臻設計研發完成，并于2025-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS及制備方法，所述方法包括：在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層；在漂移層上形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成保護區、均流區、第二P型阱區、肖特基區、第一P型阱區以及凸起部；重新形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成N型源區；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成絕緣介質層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成柵極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，實現了提高器件可靠性，降低器件導通損耗，并提高了抗浪涌電壓的能力。

本發明授權一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抗浪涌電壓的平面柵碳化硅VDMOS的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 步驟1、在碳化硅襯底下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層； 步驟2、在漂移層上形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成保護區； 步驟3、去除步驟2的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成均流區； 步驟4、去除步驟3的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成第二P型阱區； 步驟5、去除步驟4的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成肖特基區； 步驟6、去除步驟5的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成第一P型阱區以及凸起部； 步驟7、去除步驟6的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成N型源區； 步驟8、去除步驟7的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積，形成絕緣介質層； 步驟9、去除步驟8的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成柵極金屬層； 步驟10、去除步驟9的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，淀積金屬，形成源極金屬層，去除阻擋層，完成制備； 所述漂移層下側面連接至所述碳化硅襯底上側面；所述漂移層內設有保護區、均流區以及凸起部；所述保護區位于所述均流下方，且位于所述凸起部正下方，所述均流區不位于所述凸起部正下方； 所述第一P型阱區下側面連接至所述漂移層上側面，所述第一P型阱區內側面連接至所述凸起部外側面；所述第一P型阱區上設有N型源區； 所述肖特基區下側面連接至所述漂移層上側面，所述肖特基區內側面連接至所述第一P型阱區外側面；所述肖特基區內設有第二P型阱區，所述第二P型阱區下部穿過所述漂移層連接至均流區上側面； 所述絕緣介質層下側面分別連接所述凸起部上側面、第一P型阱區以及N型源區； 所述柵極金屬層連接至所述絕緣介質層； 所述源極金屬層下側面分別連接所述N型源區上側面、第一P型阱區上側面、第二P型阱區上側面以及肖特基區上側面。

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