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恭喜華中科技大學(xué)王興晟獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜華中科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種集成電路互連線的寄生電容提取方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119886022B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510361148.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06F30/367;該發(fā)明授權(quán)一種集成電路互連線的寄生電容提取方法是由王興晟;張健;蔡子非;穆德江;鄢博洋;程放;繆向水設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-03-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

一種集成電路互連線的寄生電容提取方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于集成電路相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種集成電路互連線的寄生電容提取方法,包括:構(gòu)建導(dǎo)體表面及內(nèi)部采樣點(diǎn)集合;構(gòu)建由兩兩互連電容構(gòu)成的初始值全為零的寄生電容矩陣;生成與每個(gè)導(dǎo)體的表面采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)的理想表面電勢值集合;構(gòu)建由輸入層、單層隱藏層和輸出層組成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),以表面采樣點(diǎn)為輸入,以表面采樣點(diǎn)對(duì)應(yīng)的理想表面電勢值和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出間的均方誤差作為損失函數(shù),將泊松方程的格林函數(shù)作為隱藏層激活函數(shù),將所有等效點(diǎn)電荷位置作為隱藏層激活函數(shù)中心坐標(biāo);訓(xùn)練隱藏層各神經(jīng)元權(quán)重系數(shù),對(duì)應(yīng)作為各等效點(diǎn)電荷的等效電荷值,得到每個(gè)導(dǎo)體所有等效點(diǎn)電荷的等效電荷值,更新寄生電容矩陣。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)寄生電容提取。

本發(fā)明授權(quán)一種集成電路互連線的寄生電容提取方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種集成電路互連線的寄生電容提取方法,其特征在于,包括: S1、構(gòu)建集成電路中每個(gè)導(dǎo)體的表面采樣點(diǎn)位置坐標(biāo)集合以及內(nèi)部采樣點(diǎn)位置坐標(biāo)集合,其中,將每個(gè)內(nèi)部采樣點(diǎn)作為一個(gè)等效點(diǎn)電荷的位置;構(gòu)建由所有導(dǎo)體中兩兩之間的互連電容所構(gòu)成的初始值全為零的寄生電容矩陣; S2、從所有導(dǎo)體中選取一個(gè)作為主導(dǎo)體,設(shè)置其理想表面電勢值為1,其余作為從導(dǎo)體,設(shè)置其理想表面電勢值為0;根據(jù)每個(gè)導(dǎo)體的理想表面電勢值,生成與該導(dǎo)體的表面采樣點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的理想表面電勢值的集合; S3、構(gòu)建由輸入層、單層隱藏層和輸出層組成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),其中,以表面采樣點(diǎn)位置坐標(biāo)作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入,以表面采樣點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)的理想表面電勢值和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出間的均方誤差作為損失函數(shù),神經(jīng)元的個(gè)數(shù)與所有導(dǎo)體對(duì)應(yīng)的所有等效點(diǎn)電荷的數(shù)量相同,將三維空間中泊松方程的格林函數(shù)作為單層隱藏層的激活函數(shù),將所有等效點(diǎn)電荷的位置坐標(biāo)作為隱藏層激活函數(shù)的中心坐標(biāo);基于所有導(dǎo)體的表面采樣點(diǎn)位置坐標(biāo)集合以及一一對(duì)應(yīng)的理想表面電勢值集合,訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)單層隱藏層中各神經(jīng)元的權(quán)重系數(shù),對(duì)應(yīng)作為各個(gè)等效點(diǎn)電荷的等效電荷值,得到每個(gè)導(dǎo)體中所有等效點(diǎn)電荷的等效電荷值; S4、采用每個(gè)導(dǎo)體中的所有等效點(diǎn)電荷的等效電荷值計(jì)算該導(dǎo)體的電荷量,以計(jì)算兩兩導(dǎo)體之間的互連電容,更新所述寄生電容矩陣,重復(fù)執(zhí)行S2,直至每個(gè)導(dǎo)體均充當(dāng)過主導(dǎo)體。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華中科技大學(xué),其通訊地址為:430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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