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龍圖騰網恭喜中國科學技術大學;合肥國家實驗室申請的專利用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119882013B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510377439.4，技術領域涉及：G01T1/36；該發明授權用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀是由李毅人;何世湘;汪毓明;陳滿明;劉凱;郝新軍;潘宗浩設計研發完成，并于2025-03-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀在說明書摘要公布了：本發明提供了一種用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀，可以應用于電離層等離子體探測技術領域。該能譜儀包括：第一接地外殼設有入口通道；第二接地外殼中半球形結構外殼的半球面設有第一通道孔徑，第一圓環結構外殼設有第二通道孔徑；第一偏置電極產生的第一勻強電場通過第二通道孔徑在第一圓環結構外殼和第一接地外殼的頂部之間產生第一邊緣溢出場；第二偏置電極中半球形結構電極的底部中心位置設有孔隙，半球面設有第三通道孔徑，第二偏置電極產生的第二勻強電場通過第一通道孔徑在半球形結構外殼和第一接地外殼的頂部之間產生第二邊緣溢出場，半球形結構電極內部為無場漂移區；能量分布確定系統用于確定接收到的冷等離子體的能量分布信息。

本發明授權用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀在權利要求書中公布了：1.一種用于測量冷等離子體能量分布的能譜儀，其特征在于，所述能譜儀包括： 第一接地外殼，設置有入口通道； 第二接地外殼，包括半球形結構外殼、第一圓環結構外殼和第二圓環結構外殼，所述半球形結構外殼的半球面設置有第一通道孔徑，所述第一圓環結構外殼設置有第二通道孔徑； 第一偏置電極，位于所述第一圓環結構外殼和所述第二圓環結構外殼之間，所述第一偏置電極產生的第一勻強電場通過所述第二通道孔徑在所述第一圓環結構外殼和所述第一接地外殼的頂部之間產生第一邊緣溢出場； 第二偏置電極，包括半球形結構電極，所述半球形結構電極的底部中心位置設置有孔隙，所述半球形結構電極的半球面設置有第三通道孔徑，所述第二偏置電極產生的第二勻強電場通過所述第一通道孔徑在所述半球形結構外殼和所述第一接地外殼的頂部之間產生第二邊緣溢出場，所述半球形結構電極內部為無場漂移區； 能量分布確定系統，用于確定接收到的冷等離子體的能量分布信息；其中，能依次經過所述入口通道、所述第一邊緣溢出場、所述第二邊緣溢出場、所述第二勻強電場、所述無場漂移區和所述孔隙射入所述能量分布確定系統的冷等離子體的能量大小滿足預設條件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學;合肥國家實驗室，其通訊地址為：230026 安徽省合肥市包河區金寨路96號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。