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龍圖騰網(wǎng)恭喜香港科技大學(xué)深圳研究院申請的專利氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路、提高反應(yīng)速度的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111193502B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010150766.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/082；該發(fā)明授權(quán)氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路、提高反應(yīng)速度的方法是由陳敬;徐涵;唐高飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路、提高反應(yīng)速度的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路、提高反應(yīng)速度的方法?；诩尚偷壒β势骷倪^流保護(hù)電路，包括監(jiān)測電路、屏蔽信號產(chǎn)生電路和邏輯控制模塊，監(jiān)測電路通過所述邏輯控制模塊分別電連接屏蔽信號產(chǎn)生電路和柵極驅(qū)動(dòng)器，柵極驅(qū)動(dòng)器電連接高電子遷移率功率晶體管，高電子遷移率功率晶體管順序連接監(jiān)測電路和負(fù)載。

本發(fā)明授權(quán)氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路、提高反應(yīng)速度的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于集成型氮化鎵功率器件的過流保護(hù)電路，其特征在于，包括監(jiān)測電路⑴、屏蔽信號產(chǎn)生電路⑵和邏輯控制模塊⑶，所述監(jiān)測電路⑴通過所述邏輯控制模塊⑶分別電連接屏蔽信號產(chǎn)生電路⑵和柵極驅(qū)動(dòng)器，所述柵極驅(qū)動(dòng)器電連接高電子遷移率功率晶體管M1，所述高電子遷移率功率晶體管M1順序連接監(jiān)測電路⑴和負(fù)載；在正常情況下，t0時(shí)刻控制信號VDR為低電平，功率器件處于關(guān)斷狀態(tài)，VDS為高電平，監(jiān)測電路⑴反饋一個(gè)高電平VS，由于屏蔽支路Vblank的屏蔽作用，邏輯控制模塊⑶產(chǎn)生一個(gè)低電平，不會觸發(fā)保護(hù)；在t1時(shí)刻，控制信號VDR由低變高，但由于RC回路的延時(shí)效應(yīng)，屏蔽支路的Vblank仍舊是低電平，使得在t1到t2的時(shí)間段內(nèi)邏輯控制模塊⑶的VOCE為低電平，功率器件將正常打開，負(fù)載端的VDS將下降至一個(gè)穩(wěn)定值；當(dāng)?shù)竭_(dá)t2時(shí)，負(fù)載端的VDS已經(jīng)下降到一個(gè)穩(wěn)定值，且屏蔽支路的Vblank也變成了高電平，此時(shí)若功率器件中的電流低于限定值，負(fù)載端的VDS則不超過閾值使得VS由高電平變?yōu)榈碗娖?，從而使得功率器件正常工作；反之，此時(shí)若功率器件中的電流高于限定值，負(fù)載端的VDS則會超過閾值使得VS維持在高電平，當(dāng)屏蔽時(shí)間結(jié)束后，屏蔽支路的Vblank變?yōu)楦唠娖?，器件將被?qiáng)制關(guān)斷。

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