恭喜上海必修福企業管理有限公司唐萬福獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海必修福企業管理有限公司申請的專利低比電阻物質處理方法及處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114072236B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080024784.5，技術領域涉及：B03C3/04；該發明授權低比電阻物質處理方法及處理裝置是由唐萬福;王大祥;段志軍;奚勇設計研發完成，并于2020-03-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本低比電阻物質處理方法及處理裝置在說明書摘要公布了：一種低比電阻物質處理方法及處理裝置，處理方法包括如下步驟：用導電極301將電子傳導給低比電阻物質，使低比電阻物質帶電；用吸附極302吸引帶電的低比電阻物質，使帶電的低比電阻物質向所述吸附極302移動。通過傳導電子的方式使低比電阻物質帶電，克服了低比電阻物質帶電后容易失電所帶來的問題，使得低比電阻物質在失去電子后又能快速得到電子，增加了使低比電阻物質帶電的幾率，并使得低比電阻物質保持帶電狀態，這樣，吸附極302就能持續給低比電阻物質施加吸引力，以將低比電阻物質吸附住，并使得本低比電阻物質處理方法對低比電阻物質的收集能力強、收集效率高。
本發明授權低比電阻物質處理方法及處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種低比電阻物質處理方法，包括如下步驟：用導電極將電子傳導給所述低比電阻物質，使所述低比電阻物質帶電；其中，所述導電極通過與所述低比電阻物質接觸的方式使低比電阻物質帶電；用吸附極吸引帶電的所述低比電阻物質，使帶電的所述低比電阻物質向所述吸附極移動；所述導電極上設有至少一個通孔，使所述低比電阻物質通過所述導電極的通孔，使所述低比電阻物質帶電；所述導電極平行于所述吸附極；所述導電極與上電電源的一個電極電性連接，所述吸附極與上電電源的另一個電極電性連接；所述上電電源的上電驅動電壓小于起始起暈電壓；所述上電電源的上電驅動電壓與所述導電極和所述吸附極之間的間距的比為0.1-2kvmm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海必修福企業管理有限公司，其通訊地址為：201112 上海市閔行區聯航路1188號10幢404B室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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