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龍圖騰網恭喜三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115516645B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080100601.3，技術領域涉及：H10D30/83；該發明授權半導體裝置是由齋藤尚史;滝口雄貴;宇佐美茂佳;山田高寬;中村茉里香;柳生榮治設計研發完成，并于2020-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：源極層13設置在由氮化物系半導體構成的第一p型層12之上，包含具有電子作為載流子的半導體區域。漏極層14在第一p型層12之上從源極層13空出間隔且在第一方向上相向，包含具有電子作為載流子的半導體區域。溝道結構SR在第一p型層12之上設置在源極層13和漏極層14之間，在與第一方向正交的第二方向上交替地配置溝道區域CN和柵極區域GT。溝道結構SR包含的溝道層15構成溝道區域CN的至少一部分，由氮化物系半導體構成。溝道結構SR包含的柵極層16構成柵極區域GT的至少一部分，電連接柵極電極19和第一p型層12。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具有在與厚度方向垂直的面內方向上相互正交的第一方向和第二方向且在微波波段中動作，所述半導體裝置具備：第一p型層，由氮化物系半導體構成；源極層，設置在所述第一p型層之上，包含具有電子作為載流子的半導體區域；源極電極，設置在所述源極層之上；漏極層，在所述第一p型層之上與所述源極層空出間隔且在所述第一方向上相向地設置，包含具有電子作為載流子的半導體區域；漏極電極，設置在所述漏極層之上；柵極電極，與所述源極電極和所述漏極電極分離，在所述第一方向上設置在所述源極電極和所述漏極電極之間；以及溝道結構，在所述第一p型層之上設置在所述源極層和所述漏極層之間，在所述第二方向上交替地配置有溝道區域和柵極區域，所述溝道結構包含：溝道層，構成所述溝道區域的至少一部分，由氮化物系半導體構成；以及柵極層，構成所述柵極區域的至少一部分，電連接所述柵極電極和所述第一p型層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。