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龍圖騰網恭喜新唐科技日本株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114342259B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080062996.2，技術領域涉及：H03K3/037；該發明授權半導體裝置是由中西和幸設計研發完成，并于2020-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：半導體裝置具備：第1鎖存電路L1，由第1翻轉電路i1、第2翻轉電路i2、第3翻轉電路i3及第4翻轉電路i4構成；第一型阱區域Wp1、Wp2；以及第二型阱區域Wn1；在平面視圖中，漏極p1與漏極p4的距離比漏極p1與漏極p3的距離小。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：第1鎖存電路，由第1至第4翻轉電路構成；第1及第2第一型阱區域；以及第二型阱區域；上述第1至第4翻轉電路分別具有：第一型MOS晶體管；第二型MOS晶體管；以及輸出節點，與上述第一型MOS晶體管的漏極及上述第二型MOS晶體管的漏極連接；上述第1翻轉電路的輸出節點與上述第2翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及第4翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第2翻轉電路的輸出節點與上述第3翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第1翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第3翻轉電路的輸出節點與上述第4翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第2翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第4翻轉電路的輸出節點與上述第1翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第3翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第1至第4翻轉電路的第一型MOS晶體管的漏極分別配置在上述第二型阱區域中；上述第1及第2翻轉電路的第二型MOS晶體管的漏極分別配置在上述第1第一型阱區域中；上述第3及第4翻轉電路的第二型MOS晶體管的漏極分別配置在第2第一型阱區域中；上述第二型阱區域配置在上述第1第一型阱區域與上述第2第一型阱區域之間；在平面視圖中，上述第1翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極與上述第3翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極的距離大于上述第1翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極與上述第4翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極的距離；上述半導體裝置在上述第1鎖存電路的后級具備由第5至第8翻轉電路構成的第2鎖存電路；上述第5至第8翻轉電路分別具有：第一型MOS晶體管；第二型MOS晶體管；以及輸出節點，與上述第一型MOS晶體管的漏極及上述第二型MOS晶體管的漏極連接；上述第5翻轉電路的輸出節點與上述第6翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及第8翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第6翻轉電路的輸出節點與上述第7翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第5翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第7翻轉電路的輸出節點與上述第8翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第6翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第8翻轉電路的輸出節點與上述第5翻轉電路的第一型MOS晶體管的柵極及上述第7翻轉電路的第二型MOS晶體管的柵極連接；上述第5至第8翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極分別配置在上述第二型阱區域中；上述第5及第6翻轉電路的第二型MOS晶體管的漏極分別配置在上述第1第一型阱區域中；上述第7及第8翻轉電路的第二型MOS晶體管的漏極分別配置在上述第2第一型阱區域中；在平面視圖中，上述第5翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極與上述第7翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極的距離大于上述第5翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極與上述第8翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極的距離；在平面視圖中，上述第1至第8翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極中的距上述第1翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極最近的漏極包含在上述第7翻轉電路中；在平面視圖中，上述第1至第8翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極中的距上述第2翻轉電路的上述第一型MOS晶體管的漏極最近的漏極包含在上述第8翻轉電路中。

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