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龍圖騰網(wǎng)恭喜索尼半導(dǎo)體解決方案公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及蝕刻方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114981933B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080093564.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及蝕刻方法是由平田瑛子;深沢正永設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及蝕刻方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供了一種蝕刻方法，該蝕刻方法能夠改善在半導(dǎo)體裝置中加工接觸孔時(shí)由蝕刻引起的缺陷。該蝕刻方法包括：通過(guò)使用第一氣體的等離子體將第一聚合膜接合至絕緣膜上，該絕緣膜設(shè)置在包含硅的半導(dǎo)體層上；使用第二氣體的等離子體，在移除第一聚合膜的同時(shí)，通過(guò)氧化絕緣膜的上表面形成變質(zhì)層；通過(guò)使用第三氣體的等離子體將第二聚合膜接合至變質(zhì)層上；以及通過(guò)使用第四氣體的等離子體移除第二聚合膜和變質(zhì)層。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及蝕刻方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體層，包含硅；第一絕緣膜，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上并且具有用于暴露所述半導(dǎo)體層的一部分的開(kāi)口；導(dǎo)電層，填充在所述第一絕緣膜的開(kāi)口中并且具有與所述半導(dǎo)體層接觸的下邊緣；以及變質(zhì)層，設(shè)置在所述第一絕緣膜與所述導(dǎo)電層之間并且包含氧，其中，所述第一絕緣膜的所述開(kāi)口是通過(guò)蝕刻方法形成的，所述蝕刻方法包括：通過(guò)第一氣體的等離子體將第一聚合膜吸引并粘附至絕緣膜上，所述絕緣膜設(shè)置在包含硅的半導(dǎo)體層上；通過(guò)第二氣體的等離子體移除所述第一聚合膜，氧化通過(guò)移除所述第一聚合膜而暴露的所述絕緣膜的上表面以形成變質(zhì)層；通過(guò)第三氣體的等離子體將第二聚合膜吸引并粘附至所述變質(zhì)層上；以及通過(guò)第四氣體的等離子體移除所述第二聚合膜和所述變質(zhì)層，其中，在吸引并粘附所述第一聚合膜之前；通過(guò)干法蝕刻移除所述絕緣膜的上部；以及重復(fù)多次循環(huán)，每一個(gè)循環(huán)包括吸引并粘附所述第一聚合膜、形成所述變質(zhì)層、吸引并粘附所述第二聚合膜以及移除所述變質(zhì)層。

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