恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳志彬獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利存儲器裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113206095B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010960817.9，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權存儲器裝置及其制造方法是由陳志彬;劉銘棋設計研發完成，并于2020-09-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種存儲器裝置及其制造方法。存儲器裝置包含第一分離柵極存儲單元，所述第一分離柵極存儲單元包含位于襯底上方的第一存儲堆疊。第一存儲堆疊包含第一浮動柵極和位于第一浮動柵極上方的第一控制柵極。分離柵極存儲單元還包含鄰近于第一浮動柵極和第一控制柵極的第一選擇柵極，以及位于第一選擇柵極的頂部表面的一部分上方的接觸件蝕刻停止層。接觸件蝕刻停止層能夠在蝕刻工藝期間使漏極接觸件通孔變窄。通過使漏極接觸件通孔變窄，可增加分離柵極存儲單元的密度。
本發明授權存儲器裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器裝置，包括：第一分離柵極存儲單元,包括：第一存儲堆疊,位于襯底上方,所述第一存儲堆疊包括：第一浮動柵極；以及第一控制柵極，位于所述第一浮動柵極上方；第一選擇柵極,鄰近于所述第一浮動柵極和所述第一控制柵極；第一接觸件蝕刻停止層,位于所述第一選擇柵極的頂部表面的一部分上方；主側壁間隔件，側向接觸所述第一選擇柵極以及所述第一接觸件蝕刻停止層；第一漏極區，鄰近于所述第一存儲堆疊；以及第一自對準漏極區接觸件，縱向延伸至所述第一漏極區并經由所述主側壁間隔件側向接觸所述第一選擇柵極以及所述第一接觸件蝕刻停止層，且具有位于所述第一接觸件蝕刻停止層處的輪廓不連續性。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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