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龍圖騰網恭喜松下知識產權經營株式會社申請的專利電子部件的清潔方法以及元件芯片的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115136283B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080096277.2，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權電子部件的清潔方法以及元件芯片的制造方法是由置田尚吾;伊藤彰宏;針貝篤史設計研發完成，并于2020-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本電子部件的清潔方法以及元件芯片的制造方法在說明書摘要公布了：電子部件的清潔方法具備：準備工序，準備具備被保護膜覆蓋的第1面、所述第1面的相反側的第2面、位于所述第1面與所述第2面之間的側壁、和附著于所述側壁的附著物的電子部件；和側壁清潔工序，清潔所述電子部件的所述側壁，所述側壁清潔工序具備：沉積工序，使用第1等離子，在所述保護膜以及所述附著物的表面沉積第1膜；和去除工序，使用第2等離子，將所述附著物的至少一部分同沉積于所述附著物的表面的所述第1膜一起去除，在所述側壁清潔工序中，交替重復多次所述沉積工序和所述去除工序，以使得所述保護膜殘存。據此，能在減少給電子部件帶來的傷害的同時清潔側壁。

本發明授權電子部件的清潔方法以及元件芯片的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種電子部件的清潔方法，具備：準備工序，準備具備被保護膜覆蓋的第1面、所述第1面的相反側的第2面、位于所述第1面與所述第2面之間的側壁、和附著于所述側壁的附著物的電子部件；和側壁清潔工序，清潔所述電子部件的所述側壁，所述側壁清潔工序具備：沉積工序，使用第1等離子，在所述保護膜以及所述附著物的表面沉積第1膜；和去除工序，使用第2等離子，將所述附著物的至少一部分同沉積于所述附著物的表面的所述第1膜一起去除，在所述側壁清潔工序中，交替重復多次所述沉積工序和所述去除工序，以使得所述保護膜殘存，進行所述側壁清潔工序，以使得所述沉積工序中所述第1膜沉積于所述側壁的表面的速度RD2相對于所述第1膜沉積于所述保護膜的表面的速度RD1的比RD2RD1、和所述去除工序中去除附著于所述側壁的所述第1膜的速度RR2相對于去除所述保護膜的表面的所述第1膜的速度RR1的比RR2RR1滿足RR2RR1RD2RD1的關系。

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