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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115312493B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110501467.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/528；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由葉偲偲;李斌;熊鵬;王瑜彬;趙丹洋;徐一凡設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-05-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面；在所述第一襯底第一面上形成第一器件層，所述第一器件層包括器件結(jié)構(gòu)以及位于所述器件結(jié)構(gòu)上，且與所述器件結(jié)構(gòu)電互連的若干層第一電互連層；在所述第一襯底內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)；形成所述互連結(jié)構(gòu)后，在所述第二面上形成第二器件層，所述第二器件層包括若干層第二電互連層，任一所述第二電互連層與任一所述第一電互連層通過所述互連結(jié)構(gòu)電連接；在所述第二器件層上形成介電層和位于所述介電層內(nèi)的開口，所述開口暴露出部分最頂部的所述第二電互連層；在所述開口內(nèi)形成焊墊。可以提高信號傳輸速度，還可以產(chǎn)生更多的設(shè)計方案，優(yōu)化邏輯電路。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面；位于所述第一襯底第一面上的第一器件層，所述第一器件層包括器件結(jié)構(gòu)以及位于所述器件結(jié)構(gòu)上，且與所述器件結(jié)構(gòu)電互連的若干層第一電互連層；位于所述第二面上的第二器件層，所述第二器件層包括若干層第二電互連層；位于所述第一襯底內(nèi)的互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞位于任一所述第一電互連層表面，使任一所述第一電互連層和所述第二電互連層電互連；位于所述第二器件層上的介電層和所述介電層內(nèi)的開口，所述開口暴露出部分最頂部的所述第二電互連層；位于所述開口內(nèi)的焊墊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。