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龍圖騰網恭喜松山湖材料實驗室申請的專利深紫外LED的封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115458637B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110637940.1，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權深紫外LED的封裝結構及其制作方法是由康俊杰;李永德;王維昀;王新強;王后錦;羅巍;袁冶;唐波;張紫珊設計研發完成，并于2021-06-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本深紫外LED的封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種深紫外LED的封裝結構及其制作方法，通過光刻、腐蝕在硅片上形成具有傾斜面的硅反射杯，并蒸鍍有深紫外反射層，實現深紫外LED橫向光強的垂直反射，減少LED芯片橫向光強的損失，提高電光效率，減少熱效應，提高芯片的可靠性，而且若干硅反射杯呈陣列式分布，提升集成光源的光分布均勻性。本發明提供的深紫外LED的封裝結構設計合理，省去傳統圍壩等結構，減少封裝成本，直接在硅片上設有多個硅反射杯，通過硅反射杯的傾斜面控制深紫外LED的出光角度，方向性更強且可控，有效減少橫向光強的損失，增強正面出光，不僅提升深紫外LED的電光效率，確保了出光一致性和光分布均勻性，而且整體結構簡單、緊湊，易于封裝。

本發明授權深紫外LED的封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種深紫外LED的封裝結構的制作方法，其特征在于：其包括以下步驟：（1）在硅片上涂覆光刻膠；（2）對光刻膠進行曝光、顯影，在光刻膠上顯影出所需微槽陣列圖形；（3）采用濕法腐蝕硅片，在硅片上形成若干微槽，繼續腐蝕硅片直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁為傾斜面；（4）去除硅片上的光刻膠；（5）在所述硅反射杯上設有深紫外反射層；（6）將硅片貼合在具有金屬線路的陶瓷基板上，深紫外LED芯片位于硅反射杯的中心位置并固定在陶瓷基板上，且與陶瓷基板上的金屬線路導通；（7）用高透隔板貼合在硅片上表面實現對所述硅反射杯進行氣密封裝；所述步驟（1）在涂覆光刻膠之前，采用丙酮或和乙醇對硅片進行清洗，隨后用去離子水沖洗干凈，接著用氮氣吹干；在吹干硅片之后，將硅片放入氧化爐進行氧化處理，在硅片表面獲得厚度為5-200nm的氧化硅層；所述步驟（3）包括以下步驟：（3.1）將硅片放入HF溶液進行去除表面氧化層；（3.2）將硅片放入堿性水溶液進行腐蝕，在硅片上形成若干微槽；（3.3）繼續腐蝕硅片10～60分鐘，直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁傾斜角度為50～60度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人松山湖材料實驗室，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市松山湖大學創新城A1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。