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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利溝槽填充式超級結功率器件及工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242591B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111490773.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權溝槽填充式超級結功率器件及工藝方法是由錢文生設計研發完成，并于2021-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本溝槽填充式超級結功率器件及工藝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種溝槽填充式超級結功率器件的工藝方法，其漂移區采用溝槽工藝來形成，與溝槽外圍的外延層形成超級結結構，溝槽型漂移區剖面結構為倒梯形結構，其上端橫向寬度大于下端的橫向寬度，使淺表層的漂移區具有盡可能大的雜質濃度，在超級結結構中更有利于淺表層漂移區的全耗盡，能降低導通電阻。本發明還公開了所述功率器件的工藝方法，采用現有的溝槽刻蝕及填充工藝，降低了工藝難度，實現器件更好的性能。

本發明授權溝槽填充式超級結功率器件及工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽填充式超級結功率器件的工藝方法，其特征在于：包含如下的工藝步驟：步驟一，提供一具有第二導電類型的半導體襯底，在所述半導體襯底上進行第二導電類型的離子注入形成漂移區，然后再在所述半導體襯底上形成一層具有第一導電類型的外延層；步驟二，在所述外延層中進行刻蝕形成第一溝槽，然后在所述形成的第一溝槽中填充第二導電類型的外延材料；所述第一溝槽是剖面結構為倒梯形的溝槽，即第一溝槽上部橫向開口大于底部橫向寬度，第一溝槽側壁呈逐漸內收的傾斜形態；在所述第一溝槽中填充輕摻雜的第二導電類型外延材料，與所述第一溝槽底部的漂移區成為一體，形成所述功率器件整體的漂移區；呈倒梯形的第一溝槽與其周圍的第一導電類型的外延層形成超級結結構；第一溝槽外圍的外延層與所述第一溝槽呈相反的結構，即第一溝槽外圍的外延層作為超級結結構中的柱狀薄層，所述的柱狀薄層為上部窄、下部寬的形態，且摻雜濃度從上之下逐漸降低；使得靠近器件上表面的漂移區更容易耗盡，降低所述功率器件的導通電阻；步驟三，在所述外延層中進行第一導電類型的離子注入，形成所述功率器件的體區；步驟四，在所述第一溝槽的上方中心處進行刻蝕，形成第二溝槽；所述第二溝槽形成所述功率器件的柵極；在所述第二溝槽中形成柵介質層；然后填充具有第二導電類型的多晶硅并研磨或回刻蝕至硅表面，形成所述功率器件的溝槽柵；步驟五，通過光刻定義出源區的注入區域，在所述第二溝槽的兩側進行第二導電類型的離子注入，形成所述功率器件的源區；步驟六，光刻及刻蝕定義出體區引出區，進行第一導電類型的離子注入，形成體區引出區。

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