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龍圖騰網恭喜浙江芯晟半導體科技有限責任公司申請的專利一種高靈敏度MEMS濕度計及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119595721B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510144655.4，技術領域涉及：G01N27/22；該發明授權一種高靈敏度MEMS濕度計及其制造方法是由王若飛;趙大國;何京濤;宋志強;律明琛;王曉峰設計研發完成，并于2025-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高靈敏度MEMS濕度計及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種高靈敏度MEMS濕度計及其制造方法，涉及微機電系統和半導體芯片制造工藝技術領域。濕度計包括依次層疊的支撐基底層、絕緣層、金屬屏蔽層、第一鈍化層、電介質層、電極層和第二鈍化層，以及填充于電介質層內和電極層內并將第一鈍化層、電介質層、電極層和第二鈍化層覆蓋的傳感層；傳感層通過感濕材料填充于電介質層和電極層的空隙內，用于濕度傳感。本發明在電極層下方設置了一層金屬屏蔽層，隔離了其下方的寄生電容干擾，并在金屬屏蔽層和電極層之間填充濕度敏感材料形成額外的濕度傳感層，將該區域的寄生電容轉化為傳感電容，大大提升了傳感器的靈敏度。且本發明所涉及工藝及材料均為CMOS工藝中常用工藝和材料，對CMOS工藝兼容度高。

本發明授權一種高靈敏度MEMS濕度計及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高靈敏度MEMS濕度計的制造方法，包括如下：步驟1：制作支撐基底層、絕緣層、金屬屏蔽層及第一鈍化層：準備具有絕緣層的支撐基底層，在所述支撐基底層的絕緣層上方形成一層金屬屏蔽層，并在金屬屏蔽層表面形成一層薄鈍化層為所述第一鈍化層；步驟2：制作電介質層和電極層：在具有第一鈍化層的上方形成一層電介質層，然后制作電極層；步驟3：刻蝕所述電介質層，然后在裸露的電極層表面形成一層薄鈍化層為第二鈍化層；步驟4：在所述電極層的第二鈍化層上方涂覆感濕材料，所述感濕材料在電介質層的內部、以及第二鈍化層的內部和上方均形成填充，獲得所述濕度計；所述電極層具有平面的叉指電極；所述電極層還包括加熱電阻，叉指電極內部具有空隙，加熱電阻與叉指電極的形狀匹配，加熱電阻設置于叉指電極的空隙內與叉指電極交錯排布；加熱電阻與叉指電極之間留有間隙；所述加熱電阻與叉指電極的表面均形成有所述第二鈍化層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江芯晟半導體科技有限責任公司，其通訊地址為：314006 浙江省嘉興市南湖區大橋鎮凌公塘路3556號南湖海創園10號樓306室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。