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龍圖騰網恭喜深圳眾誠達應用材料股份有限公司申請的專利一種金屬氧化物半導體靶材及其制備方法和薄膜晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119683992B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510194522.8，技術領域涉及：C04B35/457；該發明授權一種金屬氧化物半導體靶材及其制備方法和薄膜晶體管是由周賢界;徐紅星;侯宇航;孫立志;盧曉鵬;黃勇彪設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種金屬氧化物半導體靶材及其制備方法和薄膜晶體管在說明書摘要公布了：本申請涉及靶材制備技術領域，提供一種金屬氧化物半導體靶材及其制備方法和薄膜晶體管，包括：將金屬氧化物混合粉進行煅燒和淬冷處理得到金屬氧化物固溶粉；將金屬氧化物固溶粉、玻璃粉、有機助劑和純水混合球磨得到漿料；將漿料噴霧造粒得到造粒粉；將造粒粉成型處理得到坯體；將坯體進行脫脂、燒結和退火得到金屬氧化物半導體靶材。本申請將金屬氧化物混合粉煅燒和淬冷，抑制鋅揮發和減少游離鋅含量，得到高均勻穩定和高振實的金屬氧化物固溶粉，利于提高靶材密度。添加玻璃粉除降低燒結溫度和縮短時間，減少鋅揮發，提高靶材致密度和均勻性，還促進Zn的固溶或固相反應，使薄膜穩定性更高；玻璃粉的氟離子替代部分氧離子，增強靶材的導電性。

本發明授權一種金屬氧化物半導體靶材及其制備方法和薄膜晶體管在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導體靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將金屬氧化物混合粉進行煅燒處理和淬冷處理，得到金屬氧化物固溶粉；通過淬冷實現快速冷卻抑制鋅揮發，同時穩定所述金屬氧化物固溶粉的結構，減少游離鋅的含量；將所述金屬氧化物固溶粉、玻璃粉、有機助劑和純水混合球磨，得到漿料；將所述漿料噴霧造粒，得到造粒粉；將所述造粒粉成型處理，得到坯體；將所述坯體進行脫脂、燒結和退火，得到金屬氧化物半導體靶材；其中，所述金屬氧化物混合粉包括氧化銦粉、氧化錫粉和氧化鋅粉；所述玻璃粉的原料為質量比為（0~5）∶（0.5~10）∶（85~99.5）的二氧化硅粉、氧化鋅粉和氟化亞錫粉；制備所述玻璃粉的熔煉溫度為800~1100℃；所述金屬氧化物固溶粉和玻璃粉的質量比為（98~99.9）∶（0.1~2）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳眾誠達應用材料股份有限公司，其通訊地址為：518128 廣東省深圳市寶安區新安街道海濱社區寶興路6號海納百川總部大廈A座5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。