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龍圖騰網恭喜深圳索理德新材料科技有限公司申請的專利一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119750588B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510246762.8，技術領域涉及：C01B33/035；該發明授權一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法是由聶雪伊;慈立杰;吉鳳君;王預;李德平;秦圓設計研發完成，并于2025-03-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提出一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法，包括以下步驟：制備具有層級孔隙結構的多孔炭基材；在所述多孔炭基材中依次沉積非金屬摻雜氣體和硅烷氣體，得到非金屬摻雜的硅基材料；在所述硅基材料表面進行多層碳包覆，得到硅基負極前驅體；對所述硅基負極前驅體進行熱處理，得到非金屬摻雜硅基負極材料。避免了摻雜不均的現象，提升了材料的電化學性能。

本發明授權一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種非金屬摻雜硅基負極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、制備具有層級孔隙結構的多孔炭基材，其中，所述多孔炭基材的孔隙大小為0.1~100nm，按照百分比計算，所述層級孔隙結構包括30～90%的微孔、5～55%的介孔和5～55%的大孔，微孔的孔徑為0.1～2nm，介孔的孔徑為2～50nm，大孔的孔徑為50～100nm；S2、在所述多孔炭基材中依次沉積非金屬摻雜氣體和硅烷氣體，得到非金屬摻雜的硅基材料，其中，非金屬摻雜氣體包括硼烷氣體或磷烷氣體；S3、在所述硅基材料表面進行多層碳包覆，得到硅基負極前驅體；步驟S3包括：S3.1、在等離子體氣相沉積反應器中通入乙炔與氫氣的混合氣體，進行第一次沉積反應，乙炔的氣體流量為5~10Lmin，氫氣的氣體流量為10-20Lmin，反應溫度為500~800℃，沉積時間為30~120min，等離子體功率為300~600W，在所述硅基材料上形成第一碳包覆層；S3.2、停止通入乙炔與氫氣的混合氣體，通入乙烯或甲烷氣體與氮氣或氬氣的混合氣體，進行第二次沉積反應，乙烯或甲烷的氣體流量為2~6Lmin，氮氣或氬氣的氣體流量為8~12Lmin，反應溫度為700~900℃，沉積時間為20~80min，等離子體功率為300~600W，在所述第一碳包覆層上形成第二碳包覆層，得到硅基負極前驅體；所述第一碳包覆層的厚度為5~15nm，所述第二碳包覆層的厚度為3~10nm；按體積比，乙炔：氫氣=1:2，乙烯或甲烷：氮氣或氬氣=1:3；在步驟S3中反應溫度與等離子體功率的關系式如下： 其中，為反應器內的溫度（℃），Pt為等離子體功率（W），k為傳熱系數，表示熱量的損失速率（W℃），為環境溫度（℃），假設為室溫，C為等離子體氣相沉積反應器的熱容（J℃），為初始的等離子體功率（W），為最大等離子體功率（W），為最大沉積時間（min），為控制指數，調整功率上升的速度，取值在0.5到2之間；S4、對所述硅基負極前驅體進行熱處理，得到非金屬摻雜硅基負極材料。

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