恭喜北京大學王宗巍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利存儲器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119855156B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510332312.0，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權存儲器件及其制作方法是由王宗巍;羅天陽;蔡一茂;張海粟設計研發完成，并于2025-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種存儲器件及其制作方法；存儲器件包括：襯底；源線，設于襯底上與襯底連接；多條選通線，設于源線遠離襯底的一側，多條選通線沿垂直于襯底的第一方向間隔排列；溝道結構，沿第一方向穿過多條選通線，溝道結構的底部與源線連接；沿選通線指向溝道結構的中心方向，溝道結構包括依次設置的柵絕緣層、電荷捕獲層、隧穿層、溝道層和芯柱，芯柱包括沿遠離源線的方向依次設置的第一隔離層、導電層和第二隔離層；位線，設于溝道結構遠離源線的一側。能夠減少讀取操作對存儲單元的充放電時間，并降低讀取操作產生的動態功耗；有利于提高存儲單元的讀取速度，延長存儲器件的使用壽命。
本發明授權存儲器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器件，其特征在于，包括：襯底；源線，設于所述襯底上與所述襯底連接；多條選通線，設于所述源線遠離所述襯底的一側，多條所述選通線沿垂直于所述襯底的第一方向間隔排列；溝道結構，沿所述第一方向穿過多條所述選通線，所述溝道結構的底部與所述源線連接；沿所述選通線指向所述溝道結構的中心方向，所述溝道結構包括依次設置的柵絕緣層、電荷捕獲層、隧穿層、溝道層和芯柱，所述芯柱包括沿遠離所述源線的方向依次設置的第一隔離層、導電層和第二隔離層；所述溝道結構與至少一條所述選通線相交處形成存儲晶體管，所述導電層的電阻值大于所述存儲晶體管導通時的溝道等效電阻，小于所述存儲晶體管關斷時的溝道等效電阻；位線，設于所述溝道結構遠離所述源線的一側。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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