買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜榮芯半導體(寧波)有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法、電子裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119864319B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510338392.0，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種半導體器件及其制造方法、電子裝置是由朱焜;吳勝武;劉世振設計研發完成，并于2025-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在說明書摘要公布了：一種半導體器件及其制造方法、電子裝置，該制造方法包括：提供晶圓，所述晶圓包括半導體襯底和硬掩膜層；在所述晶圓的邊緣設置第一邊緣保護環，對所述第一邊緣保護環內側的所述硬掩膜層進行刻蝕，以在所述硬掩膜層中形成定義深溝槽隔離結構的開口，其中，所述第一邊緣保護環的內徑小于所述晶圓的直徑；在所述晶圓的邊緣設置第二邊緣保護環，對所述第二邊緣保護環內側的所述開口下方的所述半導體襯底進行刻蝕，以在所述半導體襯底中形成深溝槽，其中，所述第二邊緣保護環的內徑大于所述第一邊緣保護環的內徑。本發明能夠避免晶圓邊緣的深溝槽底部出現長草。

本發明授權一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供晶圓，所述晶圓包括半導體襯底以及形成于所述半導體襯底上的硬掩膜層；在所述晶圓的邊緣設置第一邊緣保護環，對所述第一邊緣保護環內側的所述硬掩膜層進行刻蝕，以在所述硬掩膜層中形成定義深溝槽隔離結構的開口，其中，所述第一邊緣保護環的內徑小于所述晶圓的直徑；在所述晶圓的邊緣更換設置第二邊緣保護環，所述第二邊緣保護環的內徑大于所述第一邊緣保護環的內徑；所述第二邊緣保護環內側的區域包括設置所述第一邊緣保護環時被所述第一邊緣保護環遮蔽的遮蔽區域以及未被所述第一邊緣保護環遮蔽的位于所述遮蔽區域內側的未遮蔽區域，靠近所述晶圓邊緣處的原本被所述第一邊緣保護環遮蔽的所述遮蔽區域被所述第二邊緣保護環暴露在外；對所述第二邊緣保護環內側的所述開口下方的所述半導體襯底進行刻蝕，以在所述半導體襯底中形成深溝槽，在所述遮蔽區域中，所述硬掩膜層未被刻蝕而未能形成暴露所述半導體襯底的開口，所述深溝槽僅形成在所述未遮蔽區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人榮芯半導體(寧波)有限公司，其通訊地址為：315809 浙江省寧波市北侖區柴橋街道金水橋路28號4幢1號1層-1；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。