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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利功率半導體封裝結構及具有其的功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119920772B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510374475.5，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權功率半導體封裝結構及具有其的功率半導體器件是由郝煒;唐新靈;魏曉光;于克凡;石浩;代安琪;林仲康;田延忠設計研發完成，并于2025-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體封裝結構及具有其的功率半導體器件在說明書摘要公布了：本發明提供了一種功率半導體封裝結構及具有其的功率半導體器件，其中，功率半導體封裝結構包括：半導體芯片；第一極電連接結構，設置在半導體芯片的第一側；第二極電連接結構，設置在半導體芯片的第二側，第二極電連接結構包括緩沖結構、極座以及液態金屬介質，緩沖結構設置在半導體芯片與極座之間，緩沖結構與極座之間形成容納空間，液態金屬介質設置在容納空間內，緩沖結構與極座之間密封連接以防止液態金屬介質脫離容納空間。本申請的技術方案能夠有效地解決相關技術中的功率半導體器件的壓接封裝難度大、成本高的問題。

本發明授權功率半導體封裝結構及具有其的功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體封裝結構，其特征在于，包括：半導體芯片（10）；第一極電連接結構（20），設置在所述半導體芯片（10）的第一側；第二極電連接結構（30），設置在所述半導體芯片（10）的第二側，所述第二極電連接結構（30）包括緩沖結構（31）、極座（32）以及液態金屬介質（33），所述緩沖結構（31）設置在所述半導體芯片（10）與所述極座（32）之間，所述緩沖結構（31）與所述極座（32）之間形成容納空間，所述液態金屬介質（33）設置在所述容納空間內，所述緩沖結構（31）與所述極座（32）之間密封連接以防止所述液態金屬介質（33）脫離所述容納空間；所述緩沖結構（31）包括第一基體（312）和設置在所述第一基體（312）上的凸塊結構（311），所述極座（32）包括第二基體（322）以及凹槽結構（321），所述凹槽結構（321）設置在所述第二基體（322）上，所述凸塊結構（311）插設于所述凹槽結構（321）內，所述凸塊結構（311）朝向所述凹槽結構（321）的槽底壁的表面與所述凹槽結構（321）的槽底壁之間形成所述容納空間，所述第一基體（312）與所述第二基體（322）間隔設置并形成調整間隙（34），以使得調整所述第一基體（312）與所述第二基體（322）之間的距離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。