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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京懷柔實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利IGCT器件的封裝方法及IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119920697B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-03發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510369140.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/50；該發(fā)明授權(quán)IGCT器件的封裝方法及IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)是由王亮;唐新靈;韓榮剛;林仲康;代安琪;王耀華;石浩;郝煒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本IGCT器件的封裝方法及IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種IGCT器件的封裝方法及IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)，其中，IGCT器件的封裝方法包括：提供一電極和一晶圓；于所述電極的表面形成圖形化的互連材料層，所述互連材料層包括多個(gè)間隔設(shè)置的互連材料單元；將所述晶圓設(shè)置于所述互連材料層遠(yuǎn)離所述電極的一側(cè)；采用鍵合工藝或焊接工藝，使所述互連材料單元發(fā)生形變，以連接所述晶圓和所述電極；其中，至少兩個(gè)相鄰設(shè)置且變形后的所述互連材料單元部分相連。本申請(qǐng)?jiān)诰A與電極互連過程中提供了釋放熱應(yīng)力的空間，減少或避免了互連過程中因熱應(yīng)力而發(fā)生翹曲變形的風(fēng)險(xiǎn)，從而在不影響熱阻優(yōu)化效果的同時(shí)提高了IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)IGCT器件的封裝方法及IGCT器件的封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種IGCT器件的封裝方法，其特征在于，包括：提供一電極和一晶圓；于所述電極的表面形成圖形化的互連材料層，所述互連材料層包括多個(gè)間隔設(shè)置的互連材料單元；將所述晶圓設(shè)置于所述互連材料層遠(yuǎn)離所述電極的一側(cè)；采用鍵合工藝或焊接工藝，使所述互連材料單元發(fā)生形變，以連接所述晶圓和所述電極；其中，至少兩個(gè)相鄰設(shè)置且變形后的所述互連材料單元部分相連；所述于所述電極的表面形成圖形化的互連材料層，包括：將各所述互連材料單元按照設(shè)定軌跡設(shè)置于所述電極的表面，以形成所述互連材料層；其中，所述設(shè)定軌跡基于中心軸線對(duì)稱設(shè)置于所述電極的表面，所述中心軸線平行于所述電極的表面且穿過所述電極的幾何中心。

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