恭喜朗姆研究公司巴特·J·范施拉芬迪克獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112435934B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010952967.5，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權封裝方法是由巴特·J·范施拉芬迪克;阿希爾·辛格哈爾;魏鴻吉;巴德里·N·瓦拉達拉簡;凱文·M·麥克勞克林;凱西·霍爾德;阿南達·K·巴納基設計研發完成，并于2017-05-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本封裝方法在說明書摘要公布了：本發明提供了封裝方法，具體提供了適于在低于約300℃的溫度下沉積低氫含量的、密封的薄封裝層的方法和裝置。方法包括在將襯底暴露于沉積反應物時對等離子體施以脈沖，并且對沉積的封裝膜后處理以使其致密化并降低氫含量。后處理方法包括在低于約300℃的襯底溫度下周期性地暴露于沒有反應物的惰性等離子體并暴露于紫外輻射。
本發明授權封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種在處理室中封裝襯底上的存儲器裝置的方法，所述方法包括：在低于300℃的襯底溫度下將位于所述處理室內的具有存儲器裝置的所述襯底暴露于沉積前體；在遠程等離子體發生器中產生反應性物質；以及將所述反應性物質引入所述處理室以與所述沉積前體反應以在所述存儲器裝置上方沉積封裝層，其中沉積在所述存儲器裝置上的所述封裝層具有介于70％和90％之間的臺階覆蓋率；其中所述封裝層選自氮化硅、未摻雜的碳化硅、摻雜氧的碳化硅、氮化鍺、未摻雜的碳化鍺和摻雜氧的碳化鍺，其中沉積所述封裝層包括：a使反應物流到遠程等離子體產生區域并點燃等離子體以產生包括反應物自由基的所述反應性物質；b通過噴頭將所述反應物自由基引入所述襯底；以及c在引入所述反應物自由基時將所述噴頭下游的所述沉積前體引入所述襯底。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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