恭喜麥克羅歐萊德公司貢特爾·哈斯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜麥克羅歐萊德公司申請的專利電致發光顯示裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113412543B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080012770.1,技術領域涉及:H10K59/12;該發明授權電致發光顯示裝置是由貢特爾·哈斯;伯努瓦·迪格勒尼;邁克爾·湯姆施克設計研發完成,并于2020-02-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本電致發光顯示裝置在說明書摘要公布了:一種具有有機電致發光層的矩陣顯示裝置100,依次包括:基板、第一控制電極101、至少包括第一有機電致發光層104的第一發光組件、至少包括第二有機電致發光層106的第二發光組件、具有與所述第一電極相反的極性并且相對于由所述電致發光層發射的光至少部分透明的第二電極102;所述控制電極101被構造為形成顯示矩陣;所述裝置的特征在于,有機層的平均折射率與所述控制電極101的與基板相對的表面和所述第二電極102在基板側的表面之間的距離的乘積在125nm和205nm之間。
本發明授權電致發光顯示裝置在權利要求書中公布了:1.一種具有有機電致發光層的矩陣顯示裝置(100),其特征在于,依次包括:基板,控制電極(101),第一發光組件,其包括至少一個第一有機電致發光層(104),第二發光組件,其包括至少一個第二有機電致發光層(106),第二電極(102),其具有與所述控制電極相反的極性,并且對于由所述第一有機電致發光層和所述第二有機電致發光層發射的光至少部分透明;所述控制電極(101)被構造為形成顯示矩陣;所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第二電極(102)在基板側的表面之間的有機層的平均折射率與所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第二電極(102)在基板側的表面之間的距離的乘積在125nm和205nm之間;所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第一有機電致發光層(104)的與所述基板相對的表面之間的距離在所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第二電極(102)在基板側的表面之間的距離的0.3倍和0.5倍之間;所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第二有機電致發光層(106)的與所述基板相對的表面之間的距離在所述控制電極(101)的與所述基板相對的表面和所述第二電極(102)在基板側的表面之間的距離的0.75倍和0.95倍之間;所述第一發光組件和所述第二發光組件由提供以下功能中的至少一種的至少一個功能層分開:(i)空穴阻擋和電子傳輸;(ii)電子傳輸;(iii)電子注入;(iv)空穴注入;(v)空穴傳輸;(vi)電子阻擋和空穴傳輸;所述第一有機電致發光層和所述控制電極由提供以下功能中的至少一種的至少一個功能層分開:(i)電子阻擋和空穴傳輸;(ii)空穴注入;(iii)空穴傳輸;所述裝置依次包括:基板;所述控制電極,其是陽極;第一空穴注入層,其厚度在0.4nm和1.5nm之間;空穴傳輸層,其厚度在4nm和10nm之間;第一電子阻擋和空穴傳輸層,其厚度在4nm和10nm之間;第一有機電致發光層,其厚度在10nm和30nm之間;第一空穴阻擋和電子傳輸層,其厚度在3nm和7nm之間;第一電子傳輸層,其厚度在3nm和7nm之間;第二空穴注入層,其厚度在0.4nm和1.5nm之間;第二空穴傳輸層,其厚度在3nm和7nm之間;第二電子阻擋和空穴傳輸層,其厚度為在4nm和10nm之間;第二有機電致發光層,其厚度在10nm和30nm之間;第二空穴阻擋和電子傳輸層,其厚度在4nm和10nm之間;第二電子傳輸層,其厚度在3nm和7nm之間;所述第二電極,其是陰極,對于由所述第一有機電致發光層和所述第二有機電致發光層發射的光至少部分透明,并且其厚度在5nm和25nm之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人麥克羅歐萊德公司,其通訊地址為:法國格勒諾布爾;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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