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龍圖騰網(wǎng)恭喜晉能光伏技術(shù)有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種新型異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111463306B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010373591.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/164；該發(fā)明授權(quán)一種新型異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法是由王繼磊;張娟;賈慧君設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-06向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種新型異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種新型異質(zhì)結(jié)電池，包括：硅層襯底、第一本征非晶硅層、第二本征非晶硅層，依次設(shè)置在所述第一本征非晶硅層正面的第一摻雜層、第一TCO層和第一金屬柵線(xiàn)；所述第一摻雜層包括重?fù)綄雍蜏\摻層，所述重?fù)綄优c所述淺摻層交替設(shè)置于所述第一本征非晶硅層的正面；所述重?fù)綄訛橹負(fù)絥型非晶硅層，所述淺摻層包括淺摻n型非晶硅層和設(shè)置于所述淺摻n型非晶硅層的第一氮化硅層；以及依次設(shè)置在所述第二本征非晶硅層背面的第二摻雜層、第二TCO層和第二金屬柵線(xiàn)；所述第二摻雜層為摻雜p型非晶硅層。因此采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)制備的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)電池，不僅可以提高異質(zhì)結(jié)電池性能，還能大幅度降低異質(zhì)結(jié)電池的制造成本。

本發(fā)明授權(quán)一種新型異質(zhì)結(jié)電池及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種新型異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，包括：硅層襯底、設(shè)置在所述硅層襯底正面的第一本征非晶硅層以及設(shè)置在所述硅層襯底背面的第二本征非晶硅層，還包括：依次設(shè)置在所述第一本征非晶硅層正面的第一摻雜層、第一TCO層和第一金屬柵線(xiàn)；所述第一摻雜層包括淺摻層，且所述淺摻層包括淺摻n型非晶硅層；以及依次設(shè)置在所述第二本征非晶硅層背面的第二摻雜層、第二TCO層和第二金屬柵線(xiàn)；所述第二摻雜層包括摻雜p型非晶硅層；所述第一摻雜層還包括：重?fù)綄樱凰鲋負(fù)綄雍退鰷\摻層交替設(shè)置在所述第一本征非晶硅層的正面，且均與所述第一本征非晶硅層相接觸；且所述重?fù)綄訛橹負(fù)絥型非晶硅層；所述淺摻層還包括：第一氮化硅層，所述第一氮化硅層設(shè)置在所述淺摻n型非晶硅層的正面；所述第二摻雜層還包括：第二氮化硅層，所述摻雜p型非晶硅層和所述第二氮化硅層交替設(shè)置于所述第二本征非晶硅層的背面，且均與所述第二本征非晶硅層相接觸。

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