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龍圖騰網恭喜株洲中車時代半導體有限公司申請的專利一種功率半導體模塊封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121923B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010898625.X，技術領域涉及：H10D80/20；該發明授權一種功率半導體模塊封裝結構是由李道會;李想;馬特·帕克伍德;譚琨;王彥剛;羅海輝;劉國友設計研發完成，并于2020-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率半導體模塊封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種功率半導體模塊封裝結構，包括：封裝基板、封裝管殼、半橋型功率半導體模塊；封裝管殼與封裝基板緊固連接，形成容納空間；半橋型功率半導體模塊設置在容納空間內；半橋型功率半導體模塊包括并聯設置在封裝基板上的配對的上開關管和下開關管，且上開關管和下開關管在水平方向相對設置；上開關管包括鍵合在基板上的第一襯板和鍵合在第一襯板上的功率半導體芯片組、主功率端子和輔助控制端子；下開關管包括鍵合在基板上的第二襯板和鍵合在第二襯板上的功率半導體芯片組、主功率端子和輔助控制端子；第一襯板和第二襯板之間通過主功率端子、輔助控制端子和模塊級鍵合線連接，主功率端子和輔助控制端子的頂部外延伸出封裝管殼。

本發明授權一種功率半導體模塊封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體模塊封裝結構，其特征在于，包括：封裝基板、封裝管殼、半橋型功率半導體模塊；所述封裝管殼與所述封裝基板緊固連接，形成容納空間；所述半橋型功率半導體模塊設置在所述容納空間內；所述半橋型功率半導體模塊包括并聯設置在所述封裝基板上的多組配對的上開關管和下開關管，且各組內的所述上開關管和所述下開關管在水平方向相對設置；所述上開關管包括鍵合在所述基板上的第一襯板和鍵合在所述第一襯板上的功率半導體芯片組、主功率端子和輔助控制端子；所述下開關管包括鍵合在所述基板上的第二襯板和鍵合在所述第二襯板上的功率半導體芯片組、主功率端子和輔助控制端子；所述第一襯板和所述第二襯板之間通過主功率端子、輔助控制端子和模塊級鍵合線連接，所述主功率端子和所述輔助控制端子的頂部外延伸出所述封裝管殼；所述主功率端子包括正直流功率端子、負直流功率端子和交流功率端子；其中，所述正直流功率端子與所述負直流功率端子分別設置在所述第一襯板和第二襯板的金屬層上，所述交流功率端子的底部引腳設置在所述第一襯板的金屬層上；所述正直流功率端子與所述負直流功率端子呈鏡像對稱設置，以使所述主功率端子導通不同方向電流時電流重疊，形成耦合低電感；所述交流功率端子的頂部與所述正直流功率端子與所述負直流功率端子的頂部呈鏡像對稱設置；所述正直流功率端子與所述負直流功率端子均包括安裝部、第一導電部和第二導電部；所述安裝部與所述第一導電部通過第一彎折部垂直連接，所述第一彎折部的形狀與所述封裝管殼的形狀相適配，使所述安裝部外延伸出所述封裝管殼；所述第一導電部與所述第二導電部通過第二彎折部垂直連接；所述正直流功率端子的第二導電部與所述負直流功率端子的第二導電部呈重疊耦合結構；所述第二導電部設置多個彎折管腳，多個彎折引腳分別鍵合在襯板上，以形成高導通電流；所述交流功率端子包括兩個交流安裝部、兩個交流第一彎折部、交流第一導電部和交流第二導電部；兩個所述交流安裝部分別通過兩個所述交流第一彎折部與交流第一導電部的兩個端部連接，以使所述交流功率端子的兩個交流安裝部分別與所述正直流功率端子的安裝部與所述負直流功率端子的安裝部鏡像對稱；所述交流第一導電部與所述交流第二導電部通過交流第二彎折部垂直連接。

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