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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116171495B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080103966.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法是由程凱設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，利用對(duì)應(yīng)于襯底的一個(gè)單元區(qū)的掩膜各開口孔占比大小不同，從而生長發(fā)光層時(shí)各開口內(nèi)的反應(yīng)氣體的流速不同，發(fā)光層的生長速度不同，生長的發(fā)光層中各元素的摻入效率不同，進(jìn)而使得生長的發(fā)光層中各元素的組分占比不同，LED的發(fā)光波長不同。上述工藝簡單，能在一個(gè)襯底上制作可用于全彩LED的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，減小了全彩LED的尺寸。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：提供襯底10，所述襯底10的表面包括若干單元區(qū)11，每一所述單元區(qū)11包括n個(gè)子單元區(qū)11a，n為大于等于2的正整數(shù)；在所述襯底10上設(shè)置圖形化的掩膜12，所述圖形化的掩膜12對(duì)應(yīng)每一個(gè)所述子單元區(qū)11a具有一個(gè)開口12a；每一所述單元區(qū)11對(duì)應(yīng)的n個(gè)所述開口12a的孔占比中至少存在一個(gè)所述開口12a的孔占比與其他n-1個(gè)所述開口12a的孔占比不同，其中，所述開口12a的孔占比為所述開口12a的面積與所述開口12a所對(duì)應(yīng)的所述子單元區(qū)11a對(duì)應(yīng)在所述圖形化的掩膜12上的面積之間的比值；在各個(gè)所述開口12a暴露的所述襯底10上依次形成第一類型的半導(dǎo)體層13、發(fā)光層14以及第二類型的半導(dǎo)體層15，所述第二類型的半導(dǎo)體層15與所述第一類型的半導(dǎo)體層13的導(dǎo)電類型相反；所述發(fā)光層14中摻雜In元素或Al元素，調(diào)整所述開口12a的孔占比以調(diào)整所述開口12a內(nèi)的所述發(fā)光層14中In元素或Al元素的組分占比。

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