買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利具有近零接合線厚度的三維堆疊半導體組合件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114902406B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080091520.1，技術領域涉及：H01L25/065；該發明授權具有近零接合線厚度的三維堆疊半導體組合件是由O·R·費伊設計研發完成，并于2020-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有近零接合線厚度的三維堆疊半導體組合件在說明書摘要公布了：本文中公開半導體裝置封裝組合件及相關聯方法。在一些實施例中，所述半導體裝置封裝組合件包含：1基底組件，其具有前側及與第一側相對的背側，所述基底組件具有在所述前側處的第一金屬化結構，所述第一金屬化結構暴露于所述前側處的接觸區域中；2半導體裝置封裝，其具有第一側及第二側，所述半導體裝置封裝具有在所述第一側處的第二金屬化結構；及3金屬凸塊，其至少部分定位于凹部中且電耦合到所述第二金屬化結構及所述第一金屬化結構。

本發明授權具有近零接合線厚度的三維堆疊半導體組合件在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置封裝組合件，其包括：基底組件，其具有前側及背側，所述基底組件具有在所述前側處的第一金屬化結構，且所述第一金屬化結構暴露于所述前側處的接觸區域中；半導體裝置裸片堆疊，每一半導體裝置裸片具有第一側、具有凹部的第二側、及第二金屬化結構，所述第二金屬化結構具有在所述第一側處的接觸墊及暴露于所述第二側處的所述凹部中的接觸區；及金屬凸塊，其至少部分定位于所述半導體裝置裸片的所述第二側處的所述凹部中，其中所述金屬凸塊電耦合到一個半導體裝置組合件的第二金屬化結構的所述接觸墊及鄰近半導體裝置組合件的接觸區，且其中額外金屬凸塊耦合到所述半導體裝置裸片中的最下半導體裝置裸片的所述接觸墊及所述基底組件的所述第一金屬化結構；其中所述半導體裝置封裝在無穿硅通路的情況下經由所述第一金屬化結構及所述第二金屬化結構彼此電耦合且電耦合到所述基底組件，其中所述第一金屬化結構及所述第二金屬化結構具有跡線及通路而未使用從所述半導體裝置堆疊裸片的所述第一側直接延伸到所述第二側的穿硅通路TSV。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達荷州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。