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龍圖騰網(wǎng)恭喜長(zhǎng)沙理工大學(xué)申請(qǐng)的專利一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112234102B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011158953.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由謝海情;蔡稀雅;范志強(qiáng);劉剛;崔凱月設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其結(jié)構(gòu)包括源、漏電極，柵電極，氧化層以及中間溝道散射區(qū)域。其中，源、漏電極采用二維金屬相二硫化鉬MoS2材料；柵極采用雙柵結(jié)構(gòu)，分為頂柵和背柵；頂柵和背柵與襯底溝道之間均包含一個(gè)氧化層；中間溝道散射區(qū)域采用二維SiC材料。本發(fā)明采用二維SiC材料作為襯底，二維MoS2材料作為源、漏電極，與襯底材料形成肖特基勢(shì)壘接觸；雙柵結(jié)構(gòu)增強(qiáng)柵極對(duì)溝道的控制能力，有效解決溝道長(zhǎng)度縮小至10nm以下時(shí)，短溝道效應(yīng)和量子效應(yīng)引起的器件性能缺陷。當(dāng)溝道長(zhǎng)度小于5.1nm時(shí)，器件關(guān)態(tài)電流小于0.1μAμm，實(shí)現(xiàn)正常關(guān)斷；開態(tài)電流不小于940μAμm，滿足國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖ITRS的高性能要求。

本發(fā)明授權(quán)一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SiC基納米尺度肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：包括源、漏電極，柵極，氧化層和溝道材料為二維SiC的中間散射區(qū)域，其中，源、漏電極為金屬相單層MoS2材料，柵極采用雙柵結(jié)構(gòu)，分為頂柵和背柵兩部分，頂柵和背柵與溝道區(qū)域之間均包含一個(gè)氧化層，源極和漏極之間的偏壓為VDS，柵極電壓為VGS，Z方向?yàn)殡娮虞斶\(yùn)方向。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人長(zhǎng)沙理工大學(xué)，其通訊地址為：410114 湖南省長(zhǎng)沙市天心區(qū)萬(wàn)家麗南路2段960號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。