恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林士堯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利虛設柵極切割工藝及所得柵極結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112750768B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011163833.1，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權虛設柵極切割工藝及所得柵極結構是由林士堯;林志翰;張書維;蔡雅怡;古淑瑗設計研發完成，并于2020-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本虛設柵極切割工藝及所得柵極結構在說明書摘要公布了：本公開涉及虛設柵極切割工藝及所得柵極結構。一種方法包括：形成虛設柵極堆疊，蝕刻虛設柵極堆疊以形成開口，沉積延伸到開口中的第一電介質層，以及在第一電介質層上沉積第二電介質層，并且第二電介質層延伸到開口中。然后執行平坦化工藝，以形成包括第一電介質層和第二電介質層的柵極隔離區域。然后移除虛設柵極堆疊以在柵極隔離區域的相對側上形成溝槽。該方法還包括：執行第一蝕刻工藝，以移除第一電介質層的側壁部分，執行第二蝕刻工藝，以使第二電介質層變薄，以及在溝槽中形成替代柵極。
本發明授權虛設柵極切割工藝及所得柵極結構在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體結構的方法，包括：形成從隔離區域突出的電介質虛設鰭，其中，所述隔離區域位于所述電介質虛設鰭的相對側上；在所述電介質虛設鰭上形成虛設柵極堆疊；蝕刻所述虛設柵極堆疊以形成開口；沉積延伸到所述開口中的第一電介質層；在所述第一電介質層上沉積第二電介質層，并且所述第二電介質層延伸到所述開口中；執行平坦化工藝，以形成包括所述第一電介質層和所述第二電介質層的柵極隔離區域，其中，所述柵極隔離區域具有接觸所述電介質虛設鰭的底表面；移除所述虛設柵極堆疊中在所述柵極隔離區域的相對側上的部分以形成溝槽；執行第一蝕刻工藝，以移除所述第一電介質層的側壁部分；執行第二蝕刻工藝，以使所述第二電介質層變薄；以及在所述溝槽中形成替代柵極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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