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龍圖騰網恭喜上海大學申請的專利硅基尺寸可控β-Ga₂O₃納米線的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113658852B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110853195.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權硅基尺寸可控β-Ga₂O₃納米線的制備方法是由黃健;顧克云;尚藝;鄧潔;劉尊;張志洛;丁可可;張子龍;唐可;王林軍設計研發完成，并于2021-07-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本硅基尺寸可控β-Ga₂O₃納米線的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅基尺寸可控β?Ga2O3納米線的制備方法，所述硅基尺寸可控β?Ga2O3納米線的制備工藝是：首先在單晶Si100襯底上沉積不同厚度的金Au催化層，并對催化層進行原位球化退火，得到不同尺寸的Au納米顆粒，然后進行磁控濺射生長β?Ga2O3納米線并原位退火，得到不同尺寸的β?Ga2O3納米線。本發明通過調控β?Ga2O3納米線的尺寸可得到具有缺陷少、電阻率高、均勻致密等優點的β?Ga2O3納米線。本發明制備的不同的尺寸的β?Ga2O3納米線在日盲紫外探測器應用中表現出優異的性能，在軍事領域可應用于導彈逼近預警系統、紫外通信、紫外成像導航等，在民用領域的汽車尾氣檢測、火焰檢測、指紋檢測等方面有廣闊的應用前景。

本發明授權硅基尺寸可控β-Ga₂O₃納米線的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基尺寸可控β-Ga2O3納米線的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：（1）Au催化層的制備：采用電子束濺射沉積方法，在經清洗和表面態處理的單晶100Si襯底上生長一層厚度為10~40nm的Au催化層，通過控制催化層厚度來調控β-Ga2O3納米線的尺寸；所用的Au為高純Au，按照金屬所含雜質濃度比例作為金屬純度的計算方法，金屬純度為99~99.99999%；（2）β-Ga2O3納米線的生長過程：采用磁控濺射方法，在所述步驟（1）中所制備的帶有Au催化層的襯底上生長β-Ga2O3納米線；選取Ga2O3靶材的純度不低于99.99%；在正式濺射前，先對Au催化層在不低于600℃條件下預處理至少30mins，對Au催化層進行原位球化退火，使其變成Au納米顆粒；然后進行正式濺射，將襯底溫度繼續升溫至不低于700℃，通入Ar氣產生輝光等離子體，從而制備出β-Ga2O3納米線；（3）β-Ga2O3納米線的原位退火處理：將所述步驟（2）中制備的β-Ga2O3納米線進行原位退火處理，退火溫度不低于700℃，從而獲得結構均勻致密的β-Ga2O3納米線，退火結束后，待樣品冷卻至室溫，取出硅基β-Ga2O3納米線成品。

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