恭喜長鑫存儲技術有限公司盧經文獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制備方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116133382B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110995019.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構是由盧經文設計研發完成，并于2021-08-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制備方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種半導體結構的制備方法和半導體結構，涉及半導體技術領域，方法包括：提供基底；刻蝕基底，以在基底中形成多個沿第一方向延伸的位線凹槽；在多個位線凹槽中依次形成第一隔離層、位線金屬線層、位線導電連接層和第一絕緣層，得到位線結構；刻蝕形成位線結構的基底，得到多個間隔設置的有源區結構和第一凹槽；其中，位線結構分別與多個有源區結構相交；在第一凹槽中填充第二隔離層，得到第一結構；刻蝕第一結構，以在第一結構中形成沿第一方向的垂直方向延伸的多個字線凹槽；在多個字線凹槽中依次形成第三隔離層、字線導電連接層和第二絕緣層。如此，能夠提高半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；刻蝕所述基底，以在所述基底中形成多個沿第一方向延伸的位線凹槽；在多個所述位線凹槽中依次形成第一隔離層、位線金屬線層、位線導電連接層和第一絕緣層，得到位線結構；刻蝕形成所述位線結構的所述基底，得到多個間隔設置的有源區結構和第一凹槽；其中，所述位線結構分別與多個有源區結構相交；在所述第一凹槽中填充第二隔離層，得到第一結構；刻蝕所述第一結構，以在所述第一結構中形成沿所述第一方向的垂直方向延伸的多個字線凹槽；在多個所述字線凹槽中依次形成第三隔離層、字線導電連接層和第二絕緣層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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