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龍圖騰網恭喜意法半導體有限公司申請的專利用于制造晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388367B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111222506.3，技術領域涉及：H01L21/50；該發明授權用于制造晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）的方法是由鄧俊宜;D·加尼設計研發完成，并于2021-10-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于制造晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及用于制造晶圓級芯片尺寸封裝WLCSP的方法。從生產晶圓的頂表面向下延伸穿過劃線區域到達僅部分穿過半導體襯底的深度，開放溝槽。在執行凸塊化工藝之前，將第一柄狀件附接到生產晶圓的頂表面。然后，減薄半導體襯底的背表面，以到達溝槽并在由溝槽界定的每個集成電路位置處形成晶圓級芯片尺寸封裝。然后，將第二柄狀件附接到減薄的半導體襯底的底表面，并且移除第一柄狀件以在頂表面處暴露凸塊下金屬化焊盤。然后，執行凸塊化工藝，以在每個暴露的凸塊下金屬化焊盤處形成焊球。

本發明授權用于制造晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造晶圓級芯片尺寸封裝的方法，包括：生產前端制程FEOL襯底晶圓，所述FEOL襯底晶圓包括具有第一厚度和背表面的半導體襯底晶圓以及預金屬化介電層；在所述預金屬化介電層之上生產后端制程BEOL結構，所述BEOL結構包括第一鈍化層，所述第一鈍化層包括用于接合焊盤的開口；在所述第一鈍化層之上形成再分布層，其中所述再分布層將所述接合焊盤電連接到凸塊下金屬化焊盤；形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包括用于所述凸塊下金屬化焊盤的開口，并由此制造生產晶圓；開放從所述生產晶圓的頂表面向下延伸到僅部分地穿過所述半導體襯底晶圓的深度的溝槽；在所述凸塊下金屬化焊盤處執行凸塊化工藝之前，將第一柄狀件附接到所述生產晶圓的頂表面；在所述生產晶圓的所述半導體襯底晶圓的背表面處從第一厚度減薄至第二厚度，到達所述溝槽并形成多個晶圓級芯片尺寸封裝；將第二柄狀件附接到所述多個晶圓級芯片尺寸封裝的底表面；移除所述第一柄狀件，以暴露所述凸塊下金屬化焊盤；以及執行所述凸塊化工藝，以在每個暴露的凸塊下金屬化焊盤處形成焊球，其中所述第一柄狀件是第一支撐晶圓，以及所述第二柄狀件是第二支撐晶圓。

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