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龍圖騰網(wǎng)恭喜復(fù)旦大學(xué);上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、其形成方法及半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113972205B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111250092.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、其形成方法及半導(dǎo)體器件是由丁榮正;俞少峰;朱小娜;朱寶;尹睿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、其形成方法及半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、形成方法及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成K層溝道材料與K+1層溝道隔離材料交替堆疊的第一鰭型結(jié)構(gòu)；在所述第一鰭型結(jié)構(gòu)底部的第一層溝道材料上形成1_1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成與所述1_1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相接觸的1_1金屬互連線；在所述鰭型結(jié)構(gòu)底部的第二層溝道材料上形成1_2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成與所述1_2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相接觸的1_2金屬互連線。按需重復(fù)執(zhí)行上述過(guò)程，并制備柵極介質(zhì)層和金屬層，最終形成第一堆疊半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)在堆疊半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)制備過(guò)程中穿插金屬互連線的制備，達(dá)到增加電路集成度的目的。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、其形成方法及半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成K層場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道材料與K+1層場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道隔離材料交替堆疊的第一鰭型結(jié)構(gòu)；在所述第一鰭型結(jié)構(gòu)底部的第一層場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道材料上形成1_1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成與所述1_1場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相接觸的1_1金屬互連線；在所述第一鰭型結(jié)構(gòu)底部的第二層場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道材料上形成1_2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成與所述1_2場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相接觸的1_2金屬互連線；按需重復(fù)執(zhí)行上述過(guò)程，直至共形成K個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)，以及形成與所述K個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)相接觸的金屬互連線；去除所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道隔離材料，同時(shí)制備K個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵介質(zhì)層，根據(jù)每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓的要求由下至上分層制備柵極金屬，最終形成第一堆疊半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，K為正整數(shù)。

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