恭喜深圳基本半導體股份有限公司揭麗平獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳基本半導體股份有限公司申請的專利一種功率半導體器件及制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114068327B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111285420.5，技術領域涉及：H01L21/324；該發明授權一種功率半導體器件及制備工藝是由揭麗平;周福鳴;柿木;和巍巍設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種功率半導體器件及制備工藝在說明書摘要公布了：本發明提供了一種功率半導體器件及制備方法，通過低溫低壓預燒結的方式使功率半導體器件各層組件之間形成良好的粘接，避免燒結過程中各組件位置發生偏移，并在功率芯片上設置高度平衡膜用于平衡貼裝銅箔的源級和未貼裝銅箔的門極之間形成的高度差，使在一次燒結過程中，功率芯片整體受壓均勻；本發明提出的技術方案不僅徹底解決燒結產品的高度差的影響，同時通過進一步優化燒結工藝，實現芯片上下表面一次燒結方案，采用銅線和銅帶鍵合的方式，提高了模塊功率循環的壽命。
本發明授權一種功率半導體器件及制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括：提供基板，采用低溫低壓貼裝處理技術在所述基板上依次層疊設置第一燒結材料層、功率芯片和銅箔，所述銅箔靠近于所述功率芯片的一側設置有第二燒結材料層，其中，所述銅箔對應于所述功率芯片的源極設置；在所述功率芯片上貼裝高度平衡膜，所述高度平衡膜對應于所述功率芯片的門極設置；所述高度平衡膜用于平衡貼裝銅箔的源極和未貼裝銅箔的門極之間形成的高度差；對貼裝完成的整體器件進行一次燒結處理，同時，將所述功率芯片與所述銅箔進行連接，以及將所述功率芯片與所述基板進行連接；在所述銅箔上鍵合連接銅帶，得到功率半導體器件；其中，所述高度平衡膜的材質包括特氟龍膜、硅橡膠中的其中一種；所述燒結處理包括：將所述貼裝完成的整體器件置于燒結模具中采用高溫高壓燒結工藝進行燒結。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳基本半導體股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市坪山區龍田街道老坑社區光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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