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龍圖騰網(wǎng)恭喜長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116072603B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111301855.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是由盧經(jīng)文設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，該方法包括：提供襯底，襯底包括多個(gè)有源區(qū)；在多個(gè)有源區(qū)的上方形成多個(gè)位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)，且每個(gè)位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)至少覆蓋一個(gè)有源區(qū)端點(diǎn)；沿位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)向下刻蝕，在有源區(qū)端點(diǎn)內(nèi)形成節(jié)點(diǎn)接觸孔，并在節(jié)點(diǎn)接觸孔內(nèi)填充半導(dǎo)體材料，以形成第一節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)；在多個(gè)有源區(qū)的上方形成多個(gè)位線結(jié)構(gòu)，并在多個(gè)位線結(jié)構(gòu)之間的空隙繼續(xù)填充半導(dǎo)體材料，直至形成有第二節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，第一節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)和第二節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。這樣，通過提前形成節(jié)點(diǎn)接觸孔和第一節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，能夠改善節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)容易產(chǎn)生填充縫隙的問題，提高半導(dǎo)體的電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底，所述襯底包括多個(gè)有源區(qū)；在所述多個(gè)有源區(qū)的上方形成多個(gè)位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)，且每個(gè)位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)至少覆蓋一個(gè)有源區(qū)端點(diǎn)；沿所述位線接觸掩膜結(jié)構(gòu)向下刻蝕，在所述有源區(qū)端點(diǎn)內(nèi)形成節(jié)點(diǎn)接觸孔，并在所述節(jié)點(diǎn)接觸孔內(nèi)填充半導(dǎo)體材料，以形成第一節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)；在所述多個(gè)有源區(qū)的上方形成多個(gè)位線結(jié)構(gòu)，并在所述多個(gè)位線結(jié)構(gòu)之間的空隙繼續(xù)填充所述半導(dǎo)體材料，直至形成有第二節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，所述第一節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)和所述第二節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。

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