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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN116113231B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111311525.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權半導體結構及其制作方法是由于業(yè)笑;陳龍陽;劉忠明設計研發(fā)完成，并于2021-11-08向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導體結構及其制作方法，涉及半導體技術領域，用于解決位線損失較多的技術問題，該半導體結構的制作方法包括：在基底上形成旋涂硬掩模層，基底內設置有多個間隔的有源區(qū)，基底上設置有多條間隔且沿第一方向延伸的位線，每條位線至少電連接一個有源區(qū)，旋涂硬掩模層填充在位線之間并覆蓋位線；去除部分旋涂硬掩模層，形成多條間隔設置的第一溝道；在第一溝道內形成第一犧牲層；去除第一犧牲層之間的旋涂硬掩模層，形成第二溝道；在第二溝道內形成第一支撐層；去除第一犧牲層，并將位于相鄰位線之間的第一溝道延伸至有源區(qū)。利用旋涂硬掩模層減少后續(xù)刻蝕中位線的損失。

本發(fā)明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成旋涂硬掩模層，其中，所述基底內設置有多個間隔設置的有源區(qū)，所述基底上設置有多條間隔設置且沿第一方向延伸的位線，每條所述位線至少電連接一個所述有源區(qū)，所述旋涂硬掩模層填充在所述位線之間并覆蓋所述位線；去除部分所述旋涂硬掩模層，形成多條間隔設置且沿第二方向延伸的第一溝道；在所述第一溝道內形成第一犧牲層，所述第一犧牲層填充于所述第一溝道內；去除所述第一犧牲層之間的所述旋涂硬掩模層，形成第二溝道；在所述第二溝道內形成第一支撐層，所述第一支撐層填充于所述第二溝道內；去除所述第一犧牲層，并將位于相鄰所述位線之間的所述第一溝道延伸至所述有源區(qū)。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230011 安徽省合肥市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。