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龍圖騰網恭喜中國核動力研究設計院申請的專利一種基于薄膜集成晶粒的中高溫半導體熱電轉換模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114267783B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111602015.1，技術領域涉及：H10N10/17；該發明授權一種基于薄膜集成晶粒的中高溫半導體熱電轉換模塊是由仇子鋮;袁德文;閆曉;孫桂鋮;張友佳;徐建軍;喬紅威設計研發完成，并于2021-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于薄膜集成晶粒的中高溫半導體熱電轉換模塊在說明書摘要公布了：本發明公開了一種可在中高溫條件下使用半導體實現熱電直接轉換的半導體熱電轉換模塊，其結構包括導熱基板，導流片，薄膜集成晶粒，晶粒定位器以及絕熱填充介質等。本發明各部件材料選擇、結構設計和加工工藝中兼顧了熱電轉換效率、溫度有效傳遞、耐冷熱沖擊性能、中高溫運行可靠性等需求。經實踐證明，本半導體熱電轉換模塊在中高溫條件下可實現高效率的熱電直接轉換，且能在溫度大幅度升降過程中保證穩定運行。

本發明授權一種基于薄膜集成晶粒的中高溫半導體熱電轉換模塊在權利要求書中公布了：1.一種基于薄膜集成晶粒的中高溫半導體熱電轉換模塊，其特征在于，具備：導熱基板（1）、導流片（2）、薄膜集成晶粒（3）、晶粒定位器（4）和絕熱填充介質（5）；其中所述導熱基板（1）具備：外側的外部彈性導熱層（1-1）、內側的陶瓷基板（1-2）；所述導流片（2）位于導熱基板（1）內側，由外到內依次為：金屬基片（2-1）、內部彈性導熱層（2-2）、金屬沉積層A（2-3）；所述薄膜集成晶粒（3）位于導流片（2）內側，具備：半導體薄膜（3-1）、絕緣介質層（3-2）、減輻射涂層（3-3）和金屬沉積層B（3-4）；所述導流片（2）的金屬沉積層A（2-3）與所述薄膜集成晶粒（3）的金屬沉積層B（3-4）相對應且接觸，使用瞬間擴散焊工藝完成金屬沉積層A（2-3）與金屬沉積層B（3-4）的連接；所述晶粒定位器（4）為薄膜集成晶粒（3）水平方向提供定位；所述絕熱填充介質（5）用于填充模塊內部所有空隙，實現對內部結構的保護和定位。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國核動力研究設計院，其通訊地址為：610000 四川省成都市雙流區長順大道一段328號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。