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龍圖騰網恭喜廣東匯芯半導體有限公司申請的專利集成柵極驅動芯片的功率半導體器件及PFC電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114759010B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210305004.5，技術領域涉及：H01L23/50；該發明授權集成柵極驅動芯片的功率半導體器件及PFC電路是由馮宇翔;左安超;華慶設計研發完成，并于2022-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成柵極驅動芯片的功率半導體器件及PFC電路在說明書摘要公布了：本發明涉及一種集成柵極驅動芯片的功率半導體器件及PFC電路，功率半導體器件包括IGBT芯片、柵極驅動芯片和介質隔離層，其中IGBT芯片的表面設置有柵極，柵極驅動芯片設置于IGBT芯片的一側，且柵極驅動芯片的表面設置有驅動輸出極，其中驅動輸出極和柵極電連接，介質隔離層設置于IGBT芯片和柵極驅動芯片之間。本發明的功率半導體器件通過將IGBT芯片和柵極驅動芯片二者集成，二者之間通過介質隔離層實現隔離，以此有效了縮小了單獨的兩顆芯片的體積，從而減少了應用到控制電路中如PFC電路中的PCB布線的面積。

本發明授權集成柵極驅動芯片的功率半導體器件及PFC電路在權利要求書中公布了：1.一種集成驅動芯片的功率半導體器件，其特征在于，包括：IGBT芯片，所述IGBT芯片的表面設置有柵極；柵極驅動芯片，所述柵極驅動芯片設置于所述IGBT芯片的一側，且所述柵極驅動芯片的表面設置有驅動輸出極，其中所述驅動輸出極和所述柵極電連接；介質隔離層，設置于所述IGBT芯片和所述柵極驅動芯片之間；所述IGBT芯片和柵極驅動芯片包括共用的P型襯底，所述P型襯底的正面設置有埋氧層，厚度為2um；所述IGBT芯片包括LIGBT元胞，所述柵極驅動芯片包括驅動信號處理單元和CMOS元胞，其中所述CMOS元胞做為所述LIGBT元胞的柵極驅動單元，所述驅動輸出極為所述柵極驅動單元的輸出端，所述LIGBT元胞和所述CMOS元胞分別設置在所述介質隔離層的兩側；所述LIGBT元胞包括：第一N型漂移區；形成所述第一N型漂移區正面的N型緩沖區、集電區、第一P阱區、發射區，其中所述集電區設置在所述N型緩沖區內，所述發射區設置在所述第一P阱區內，所述第一P阱區靠近所述介質隔離層設置；所述第一N型漂移區的表面還設置有第一絕緣層，所述發射區和所述第一P阱區的表面設置穿過所述第一絕緣層的導電極以形成發射極，所述集電區的表面設置貫穿過所述第一絕緣層的導電極以形成集電極，在第一P阱區的正面還設置有貫穿所述第一絕緣層的柵極介質層，所述第一絕緣層之上設置連接所述柵極介質層的柵極。

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