買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜浙江求是創芯半導體設備有限公司申請的專利一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119530963B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510066544.6，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法是由曹建偉;張文浩;朱凌鋒;葉斌;周田莉;王明明;許嘉俊設計研發完成，并于2025-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法，包括依次進行的確定基礎條件、設計實驗方案、計算敏感度、非線性規劃求解、實驗驗證，最終可以得到工藝優化組，對實際工藝進行優化。本發明所述工藝優化方法結合了DOE的實驗設計思路，通過確定工藝變量并分別設計i組（i≥3）不同的實驗工藝參數，可以優化實驗測試組數，有效降低了實驗的晶圓和機臺消耗，有效的降低了實驗次數，并實現了最佳均勻性的預測。

本發明授權一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法在權利要求書中公布了：1.一種硅外延生長膜厚均勻性的工藝優化方法，其特征在于，所述工藝優化方法包括如下步驟：（1）確定基礎條件：準備i個相同的基底，基于化學氣相沉積方法，采用相同的基礎工藝參數，分別在基底上生長Si層；（2）設計實驗方案：確定工藝變量為溫度，通過對加熱元件進行分組并調整加熱元件相對于額定功率的功率比例，來設計i組不同的實驗工藝參數，i≥3，分別在步驟（1）所得的i組Si層上進行硅外延生長，分別測量硅外延生長膜厚曲線Ai；（3）計算敏感度：將步驟（2）所得硅外延生長膜厚曲線Ai分別除以各自的膜厚平均值進行歸一化處理，分別計算硅外延生長膜厚對i組不同的實驗工藝參數的敏感度，獲得i條敏感度曲線；（4）非線性規劃求解：基于步驟（3）所得i條敏感度曲線，設置（α1，α2，至αi）的一組參數組作為預測參數組，將兩者線性組合，獲得理想膜厚曲線并求解其理想均勻性表征值R理想；其中，所述非線性規劃求解包括：定義變量上下界，并初始化，調用minimize函數，執行優化，求解最小值并輸出優化結果，給出參數條件；（5）實驗驗證：將步驟（4）所述預測參數組與步驟（1）所述基礎工藝參數整合，將所得驗證工藝參數進行實驗驗證，獲得驗證組膜厚曲線并求解其驗證均勻性表征值R驗證；計算對比差值Q=│100%-R驗證R理想│；若對比差值Q滿足要求，符合預測，則驗證工藝參數作為工藝優化組；否則，不符合預測，返回重新建立優化模型；其中，若對比差值Q≤10%，符合預測，得到工藝優化組；若滿足10%＜對比差值Q＜20%，不符合預測，返回步驟（4）調整預測參數組的具體數值；若對比差值Q≥20%，不符合預測，返回步驟（2），重新確定工藝變量或增加工藝變量，重新設計i組不同的實驗工藝參數；若重新確定工藝變量，重新設計i組不同的實驗工藝參數，獲得的對比差值滿足10%＜對比差值Q＜20%，返回步驟（4）調整預測參數組的具體數值或者增加工藝變量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江求是創芯半導體設備有限公司，其通訊地址為：311106 浙江省杭州市臨平區臨平街道經濟技術開發區順達路500號1幢103室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。