恭喜中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司葉如彬獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司申請(qǐng)的專利一種邊緣環(huán)組件、下電極組件、等離子體處理裝置和制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119673741B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510165658.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01J37/32;該發(fā)明授權(quán)一種邊緣環(huán)組件、下電極組件、等離子體處理裝置和制備方法是由葉如彬;范光偉;田寧;呂翌晟設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-02-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種邊緣環(huán)組件、下電極組件、等離子體處理裝置和制備方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明公開(kāi)了一種邊緣環(huán)組件、下電極組件、等離子體處理裝置和制備方法,該邊緣環(huán)組件包含:環(huán)本體;第一電極,其設(shè)置于所述環(huán)本體內(nèi)部;第二電極,其設(shè)置于所述環(huán)本體內(nèi)部,所述第二電極位于所述第一電極下方并與其電連接,所述第二電極還與外部的第一功率源連接,所述第一電極與所述第二電極之間具有至少兩個(gè)電連接點(diǎn)。其優(yōu)點(diǎn)是:該邊緣環(huán)組件通過(guò)沿周向分布的第二電極提高第一電極上射頻功率分布的均勻性,以使第一電極形成更均勻的電場(chǎng)環(huán)境,有助于提高聚焦環(huán)耦合的功率電壓的均勻性,進(jìn)而提升聚焦環(huán)上方鞘層厚度的均勻性,保證晶圓處理的均勻性。
本發(fā)明授權(quán)一種邊緣環(huán)組件、下電極組件、等離子體處理裝置和制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種邊緣環(huán)組件,其特征在于,包含:環(huán)本體;第一電極,其設(shè)置于所述環(huán)本體內(nèi)部;第二電極,其完全設(shè)置于所述環(huán)本體內(nèi)部,所述第二電極位于所述第一電極下方并與其電連接,所述第二電極還與外部的第一功率源連接,可形成沿周向分布的電場(chǎng),所述第一電極與所述第二電極之間具有至少兩個(gè)電連接點(diǎn)。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司,其通訊地址為:201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)(南區(qū))泰華路188號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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