恭喜北京懷柔實驗室魏曉光獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利集成門極換流晶閘管的元胞結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119922928B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510374469.X,技術領域涉及:H10D18/00;該發明授權集成門極換流晶閘管的元胞結構及其制備方法是由魏曉光;吳沛飛;李玲;劉瑞;王耀華;唐新靈;焦倩倩;李立設計研發完成,并于2025-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成門極換流晶閘管的元胞結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請提供了一種集成門極換流晶閘管的元胞結構及其制備方法,該元胞結構包括:基底;漂移層在背離基底的一側具有第一表面;第一摻雜層包括第一子摻雜區和第二子摻雜區,第一子摻雜區和第二子摻雜區沿第一方向交替排布,第一子摻雜區具有第一摻雜類型,第二子摻雜區具有第二摻雜類型;第二摻雜層背離基底的一側表面為第二表面;陰極結構一部分位于第二摻雜層中,另一部分位于第二表面上;多個門極位于陰極結構在第一方向上的兩側。通過在漂移層上形成由第一子摻雜區和第二子摻雜區形成的半超結結構,減小了漂移層的厚度,且漂移層厚度的減小還可以降低晶閘管的導通電阻,提高晶閘管的開關速度。解決了元胞結構的尺寸較大,且綜合性能不佳的問題。
本發明授權集成門極換流晶閘管的元胞結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種集成門極換流晶閘管的元胞結構,其特征在于,包括:基底,具有第一摻雜類型;漂移層,位于所述基底的一側,所述漂移層在背離所述基底的一側具有第一表面,所述漂移層具有第二摻雜類型,所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型不同;第一摻雜層,位于所述第一表面上,所述第一摻雜層包括第一子摻雜區和第二子摻雜區,所述第一子摻雜區具有所述第一摻雜類型,所述第二子摻雜區具有所述第二摻雜類型;第二摻雜層,位于所述第一摻雜層背離所述基底的一側,所述第二摻雜層背離所述基底的一側表面為第二表面,所述第二摻雜層具有所述第一摻雜類型;陰極結構,一部分位于所述第二摻雜層中,另一部分位于所述第二表面上;多個門極,間隔的位于所述第二表面上,多個所述門極位于所述陰極結構在第一方向上的兩側,所述第一方向與所述基底指向所述漂移層的方向垂直;其中,所述第二子摻雜區包括兩個部分,第一部分在所述陰極結構的下方,第二部分位于所述第一部分在所述第一方向上的兩側,所述第一部分和所述第二部分均包括多個凸起和多個凹陷交替排布,所述第一部分和所述第二部分的下表面齊平,所述第一部分的各所述凸起的上表面高于所述第二部分的各所述凸起的上表面,在所述陰極結構指向所述門極的方向上,所述第二部分的多個所述凸起的高度依次減小,所述第一部分的多個所述凹陷處和所述第二部分的多個所述凹陷處均設置有所述第一子摻雜區,所述第一部分的多個所述凹陷處的所述第一子摻雜區的下表面比所述第二部分的多個所述凹陷處的所述第一子摻雜區的下表面高,所述第一部分的多個所述凸起的上表面和所述第一子摻雜區的上表面齊平。
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