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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112951714B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911260433.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由劉長宇;韓亮設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相鄰接的第一區(qū)及第二區(qū)；在第一區(qū)的基底上及第二區(qū)的基底上形成浮柵層；在浮柵層上形成硬掩膜層，第一區(qū)的硬掩膜層頂部低于第二區(qū)的硬掩膜層頂部；在第一區(qū)的硬掩膜層上及第二區(qū)的硬掩膜層上形成第一氧化層；刻蝕第一氧化層、硬掩膜層、浮柵層及基底，在第一區(qū)內(nèi)形成多個第一凹槽，在第二區(qū)內(nèi)形成多個第二凹槽；形成填充滿第一凹槽及所述第二凹槽的第二氧化層；刻蝕第二氧化層及第一氧化層，直至露出第二區(qū)的硬掩膜層頂部表面，剩余第一氧化層覆蓋第一區(qū)的硬掩膜層頂部。本發(fā)明有助于改善各個所述第一凹槽內(nèi)的第二氧化層頂部表面高度的一致性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相鄰接的第一區(qū)及第二區(qū)；在所述第一區(qū)的基底上及第二區(qū)的基底上形成浮柵層；在所述浮柵層上形成硬掩膜層，所述第一區(qū)的硬掩膜層頂部低于所述第二區(qū)的硬掩膜層頂部；在所述第一區(qū)的硬掩膜層上及第二區(qū)的硬掩膜層上形成第一氧化層；刻蝕所述第一氧化層、所述硬掩膜層、所述浮柵層及所述基底，在所述第一區(qū)內(nèi)形成多個第一凹槽，在所述第二區(qū)內(nèi)形成多個第二凹槽；形成填充滿所述第一凹槽及所述第二凹槽的第二氧化層；刻蝕所述第二氧化層及所述第一氧化層，直至露出所述第二區(qū)的硬掩膜層頂部表面，剩余所述第一氧化層覆蓋所述第一區(qū)的硬掩膜層頂部；其中，所述第一區(qū)為單元，所述第二區(qū)為周邊區(qū)域；在所述刻蝕工藝中，所述第一氧化層與所述第二氧化層的刻蝕速率相同。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。